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公开(公告)号:CN101821071A
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN200880111070.7
申请日:2008-09-26
申请人: 三星钻石工业股份有限公司
CPC分类号: B28D5/0011 , B23K26/066 , B23K26/0736 , B23K26/08 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/52 , C03B33/027 , C03B33/091
摘要: 脆性材料基板、脆性材料基板的激光划线方法及激光划线装置。提供沿划线预定线形成直进性优良的划线的方法。在使激光束照射机构相对于下述区域移动时,在照射面积调整单元(44b)安装于激光束照射机构和基板中的任一方的状态下使所述激光束照射机构相对移动,所述区域为位于划线预定线的左右两侧附近的基板状态不同而导致扫描光束点时的划线预定线的左右两侧的热分布不对称的区域,所述照射面积调整单元(44b)用于使以划线预定线为中心的热分布左右对称。
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公开(公告)号:CN101000864B
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200710002215.7
申请日:2007-01-12
申请人: 株式会社迪斯科
CPC分类号: B26F3/002 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B26D7/10 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , Y10T225/325
摘要: 本发明的晶片分割方法,将在衬底表面上形成有格子状的分割预定线且形成有高分子膜、在该衬底上实施了允许沿分割预定线进行分割的加工的晶片,沿着分割预定线进行分割,其特征在于,包括:框架保持工序,在安装于环状的框架上的粘接带表面,粘贴晶片;晶片冷却工序,对在安装于环状的框架上的粘贴带表面粘贴的晶片进行冷却;分割工序,将粘贴有被冷却的晶片的粘接带进行扩张,沿着分割预定线分割晶片。
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公开(公告)号:CN101256951B
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200810082659.0
申请日:2008-02-26
申请人: 万国半导体股份有限公司
IPC分类号: H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/301 , H01L21/77 , H01L21/78
CPC分类号: B24B7/228 , B24B41/06 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , H01L24/06 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/06181 , H01L2224/16225 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/03 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要: 本发明公开一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置。该装置包括保持高温研磨和/或切割带以形成支撑结构的外环。超薄晶片或切割后的晶片被黏附到该带上的所述环内以进行晶片背面处理工艺。晶片背面处理工艺包括晶片位于所述支撑结构上时进行的离子注入,退火,刻蚀,溅射和蒸发。本发明也公开了所述支撑结构的其他使用,包括具有金属化侧壁的芯片的制造。
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公开(公告)号:CN101733847A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200910254079.X
申请日:2006-02-02
申请人: 三星钻石工业股份有限公司
CPC分类号: B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/0823 , B23K26/0853 , B23K26/361 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B28D1/225 , B28D5/0011 , C03B33/107
摘要: 本发明提供脆性材料基板用刀轮的制造方法,根据上述方法,可抑制在使用激光来对烧结金刚石进行微细加工时的加工部位的石墨化,并且可高效地进行精确的微细加工。在上述方法中,包括在包含棱线部分(2a)的刀轮外周部上,从刀轮侧面侧一边使激光光束相对于刀轮(2)相对移动一边进行照射,在棱线部分上在周向隔开期望的间隔来连续形成朝向刀轮半径方向开口的微细的槽部的工序,对于将烧结金刚石作为材料的工件,以所述工件和激光光束之间的相对移动速度来对所述工件的加工部位进行照射,在加工部位的最大厚度为200μm以下的范围内,将所述工件加工成微细形状。
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公开(公告)号:CN101661973A
公开(公告)日:2010-03-03
申请号:CN200910167477.8
申请日:2009-08-25
申请人: 硅源公司
CPC分类号: B28D5/0011 , B28D5/0082 , H01L21/67213 , H01L21/67736 , Y10T83/0467 , Y10T83/2074
摘要: 本发明涉及对硅太阳能衬底进行切片的轨道配置和方法。提供一种用于由工件制造独立式膜的系统。该系统包括:轨道结构,该轨道结构被配置为传送至少一个工件;和经由终端站耦接至该轨道结构的一个或更多基于加速器的离子注入器。每个基于加速器的离子注入器被配置为将具有大于1MeV的能量的粒子引入以注入到载入终端站的工件表面中,从而在工件中形成解理区。该系统包括耦接到轨道结构的一个或更多解理模块,解理模块被配置为进行解理工艺以沿解理区从工件释放独立式膜。此外,该系统包括输出端口和一个或更多服务模块,该输出端口耦接至每个解理模块以输出从工件分离的独立式膜,每个服务模块连接至轨道结构。
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公开(公告)号:CN100587915C
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200680044101.2
申请日:2006-11-16
申请人: 浜松光子学株式会社
IPC分类号: H01L21/301 , B23K101/40 , B23K26/10
CPC分类号: B23K26/53 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B28D5/0094 , H01L21/6838 , H01L21/78
摘要: 本发明提供一种激光加工方法,在将吸附平台和保持部件分开时,可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。在真空卡盘的吸附平台(52)上,隔着多孔薄片(53)对展开设置在框架(51)并且保持有加工对象物(1)的扩张带(23)进行吸附固定。此时,因薄片(53)的杨氏模数比平台(52)的杨氏模数低,所以能够抑制扩张带(23)陷入薄片(53)的微孔。由此,在形成改质区域(7)后即使解除吸附固定,将平台(52)和扩张带(23)分开,也不会有大的弯曲应力作用在加工对象物(1)上。因此,在将平台(52)和扩张带(23)分开时,可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。
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公开(公告)号:CN101616778A
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200780047404.4
申请日:2007-10-19
申请人: 康宁股份有限公司
CPC分类号: C03B33/0215 , B28D5/0011 , B28D5/047 , B65G2249/04 , C03B33/033 , Y10T83/0341 , Y10T225/12 , Y10T225/307
摘要: 通过探针将振动能施加到预先划线的脆性片材中,沿刻划线分离片材,如平整或拱起的玻璃。分离时间短于1秒,且具有光滑的边缘质量。片材可以是移动的片状玻璃带的形式,沿横截刻划线的方向对其施加振动负荷,以促进裂纹沿刻划线扩展。控制器根据选定的振动频率、幅度、接触速度、冲击接触力、与刻划线的对准程度等操控探针,具体取决于材料性质和结构以及最佳工艺参数。
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公开(公告)号:CN101585656A
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200910132023.7
申请日:2004-01-28
申请人: 三星宝石工业株式会社
发明人: 西尾仁孝
CPC分类号: C03B33/107 , B28D5/0011 , C03B33/027 , C03B33/033 , C03B33/037 , C03B33/04 , C03B33/07 , C03B33/09 , C03B33/10 , Y10T225/304 , Y10T225/325
摘要: 用于切割基板的基板切割设备,包括:用于在基板上形成切割线的切割线形成装置;以及用于沿所述切割线断开基板的断开装置。所述断开装置包括用于喷射温度足以使得基板在基板上所形成的切割线上膨胀的热流体的装置,从而使得从切割线延伸的竖直裂纹沿基板的厚度方向进一步延伸。
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公开(公告)号:CN100548564C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200580026680.3
申请日:2005-07-27
申请人: 浜松光子学株式会社
IPC分类号: B23K26/40 , B28D5/00 , H01L21/301 , C03B33/09 , B23K101/40
CPC分类号: H01L23/562 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D1/221 , B28D5/0011 , C03B33/0222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种可以在加工对象物的内部沿着切断预定线的所希望的部分确实地形成改质区域的激光加工方法。在该激光加工方法中,将聚光点(P)对准于基板(4)的内部照射激光(L),从而在基板(4)的内部沿切断预定线(5)形成成为切断起点的质量改质区域(71)。此时,沿切断预定线(5)的所希望的部分(RP)使激光(L)进行脉冲振荡,并沿切断预定线(5)的规定部分(RC)使激光(L)进行连续振荡。由此,在沿着切断预定线(5)的所希望部分(RP)的基板(4)的内部形成质量改质区域(71),并且在沿着切断预定线(5)的规定部分RC的基板(4)的内部不形成质量改质区域(71)。
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公开(公告)号:CN101516565A
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200780034480.1
申请日:2007-09-13
申请人: 浜松光子学株式会社
发明人: 坂本刚志
IPC分类号: B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301 , B23K101/40
CPC分类号: H01L21/78 , B23K26/0622 , B23K26/12 , B23K26/354 , B23K26/359 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/57 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , C03B33/0222
摘要: 沿着切断预定线(5),在硅晶圆(11)的内部形成作为切断的起点的6列熔融处理区域(131、132),但是,在形成最接近加工对象物(1)的背面(21)的熔融处理区域(131)时,沿着切断预定线(5)在背面(21)形成弱化区域(18)。如此,由于熔融处理区域(131、132)形成于硅晶圆(11)的内部,因而能够防止从熔融处理区域(131、132)产生粒子。并且,由于具有规定的深度的弱化区域(18)沿着切断预定线(5)形成于加工对象物(1)的背面(21),因而能够用较小的外力沿着切断预定线(5)切断加工对象物(1)。
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