对硅太阳能衬底进行切片的轨道配置和方法

    公开(公告)号:CN101661973A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200910167477.8

    申请日:2009-08-25

    申请人: 硅源公司

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/00

    摘要: 本发明涉及对硅太阳能衬底进行切片的轨道配置和方法。提供一种用于由工件制造独立式膜的系统。该系统包括:轨道结构,该轨道结构被配置为传送至少一个工件;和经由终端站耦接至该轨道结构的一个或更多基于加速器的离子注入器。每个基于加速器的离子注入器被配置为将具有大于1MeV的能量的粒子引入以注入到载入终端站的工件表面中,从而在工件中形成解理区。该系统包括耦接到轨道结构的一个或更多解理模块,解理模块被配置为进行解理工艺以沿解理区从工件释放独立式膜。此外,该系统包括输出端口和一个或更多服务模块,该输出端口耦接至每个解理模块以输出从工件分离的独立式膜,每个服务模块连接至轨道结构。

    激光加工方法
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100587915C

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200680044101.2

    申请日:2006-11-16

    摘要: 本发明提供一种激光加工方法,在将吸附平台和保持部件分开时,可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。在真空卡盘的吸附平台(52)上,隔着多孔薄片(53)对展开设置在框架(51)并且保持有加工对象物(1)的扩张带(23)进行吸附固定。此时,因薄片(53)的杨氏模数比平台(52)的杨氏模数低,所以能够抑制扩张带(23)陷入薄片(53)的微孔。由此,在形成改质区域(7)后即使解除吸附固定,将平台(52)和扩张带(23)分开,也不会有大的弯曲应力作用在加工对象物(1)上。因此,在将平台(52)和扩张带(23)分开时,可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。