公开(公告)号：CN113264330A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110126700.5

申请日：2021-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李彦乐 ,  陈彦羽 ,  陈韦志 ,  廖泰翔 ,  詹凯评

IPC: B65G35/00 ,  B65G43/00 ,  H01L21/677

Abstract: 描述了一种与自动物料搬运系统关联的架空运输车辆(overhead transportvehicle)与运输紧急产品的方法。架空运输车辆为自动物料搬运系统提供特征，当控制自动物料搬运系统中交通的逻辑算法由于意外问题而无法在q时间内按处理步骤顺序将前开式晶圆传送盒(FOUP)自一个工具传输至后续工具时，自动物料搬运系统能够通过这些特征减少晶圆厂操作员进行手动紧急产品救援的次数。在此描述了架空运输车辆上的帮助晶圆厂操作员发现有问题产品的指示器。亦描述了在主电源故障的情况下使用的架空运输车辆上的备用电源。

公开(公告)号：CN113206152A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202011287806.5

申请日：2020-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦羽 ,  程仲良

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括第一栅极结构，第一栅极结构包括第一界面层、设置在第一界面层上方的第一栅极介电层，以及设置在第一栅极介电层上方的第一栅电极。半导体器件还包括第二栅极结构，第二栅极结构包括第二界面层、设置在第二界面层上方的第二栅极介电层，以及设置在第二栅极介电层上方的第二栅电极。第一界面层包含与第二界面层不同量的偶极材料。

公开(公告)号：CN109841550A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810379692.3

申请日：2018-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 商耀元 ,  曾国书 ,  陈彦羽 ,  林群智 ,  戴逸明

IPC: H01L21/677 ,  G01D21/02

Abstract: 本公开部分实施例提供一种制造系统中的错误侦测方法。上述方法包括自一起始位置运送储存有一光罩的一光罩载具至一终点位置。上述方法还包括在光罩载具的运送过程中，通过放置于光罩载具中的一测量工具侦测在光罩载具内的一环境因子。上述方法也包括当所侦测的环境因子超出一可接受数值范围时，发出一警示。

公开(公告)号：CN106245003B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201510827051.6

申请日：2015-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  张伟 ,  吴清嘉 ,  陈韦任 ,  陈彦羽

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 提供了一种在沉积设备中使用的气体分配器。该气体分配器包括喷头，喷头包括多个孔；以及掩模层，形成在喷头的表面上，其中孔穿透穿过掩模层。还公开了使用气体分配器的沉积设备。

公开(公告)号：CN109585360A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201711206286.9

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毕诗伟 ,  叶昇韦 ,  陈彦羽 ,  郑文豪 ,  林志威 ,  林群智

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种接合垫形成方法，此方法包括钽(Ta)导电层以阻挡在铝-铜(AlCu)金属填充层沉积期间产生的可移动的离子电荷。例如，此方法包括在基板上形成一个或多个内连线层，并在此一个或多个内连线层的顶部内连线层上形成介电质。在介电质中形成第一凹口，以从顶部内连线层暴露线路或介层窗。在第一凹口中形成导电层，以形成比第一凹口小的第二凹口。在第二凹口中形成阻挡金属层，以形成比第二凹口小的第三凹口。形成金属以填充第三凹口。

公开(公告)号：CN112750828B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202011188822.9

申请日：2020-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦羽 ,  程仲良

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明公开了一种具有不同栅极结构构造的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在衬底上的第一对源极/漏极区和第二延源极/漏极区，第一纳米结构沟道区和第二纳米结构沟道区，以及具有彼此不同的有效功函值的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构包括第一高K栅极介电层和第二高K栅极介电层，具有彼此不同的厚度的第一阻挡金属层和第二阻挡金属层，分别设置在第一阻挡金属层和第二阻挡金属层上的具有彼此基本相等的厚度的第一功函金属(WFM)氧化物层和第二功函金属氧化物层，设置在第一功函金属氧化物层和第一阻挡金属层之间的第一偶极层，以及设置在第二功函金属氧化物层和第二阻挡金属层之间的第二偶极层。

公开(公告)号：CN119495628A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411111639.7

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王嘉熙 ,  陈彦羽 ,  罗亦琥 ,  蔡沛莳 ,  林宗坤

IPC: H01L21/687

Abstract: 提供一种晶圆卡盘组件。在一个实施例中，晶圆卡盘组件包括毂、安装到毂的多个臂以及多个保持器。每个臂从毂向外延伸，并且每个臂具有邻近毂的近端和远离毂的远端。每个保持器安装在每个相应臂的远端处，并且每个保持器具有配置为支撑晶圆的多个支撑销。本申请的实施例还提供了一种处理晶圆的方法。

公开(公告)号：CN119384013A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411373878.X

申请日：2024-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王嘉熙 ,  陈彦羽

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/66 ,  H10D30/01

Abstract: 公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的鳍结构，以及栅极结构。栅极结构包括：设置在鳍结构上的高k栅极氧化物层、设置在高k栅极氧化物层上的扩散阻挡层、和设置在扩散阻挡层上的金属层。半导体器件还包括设置在扩散阻挡层上的栅极间隔件、和设置在鳍结构上的源极/漏极(S/D)区域。S/D区域的侧壁与高k栅极氧化物层的侧壁接触。

公开(公告)号：CN113539925B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202110184841.2

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑文豪 ,  朱玄之 ,  陈彦羽

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法，半导体处理系统包括晶圆支撑件和控制系统。晶圆支撑件包括多个加热元件和多个温度感测器。这些加热元件加热由支撑系统支撑的半导体晶圆。这些温度感测器生成指示温度的感测器信号。控制系统回应于这些感测器信号而选择性地控制这些加热元件。

公开(公告)号：CN115522171A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211044233.2

申请日：2022-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王嘉熙 ,  陈彦羽

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54

Abstract: 一种沉积设备、沉积靶材结构及其方法，沉积设备包括：工艺腔室；晶圆支座，处于工艺腔室中；背板结构，具有在工艺腔室中面向晶圆支座的第一表面；靶材，具有面向第一表面的第二表面及面向晶圆支座的第三表面；及粘着结构，与背板结构及靶材实体接触。粘着结构具有粘着材料层及嵌入粘着材料层中的间隔物。