公开(公告)号：CN108122826A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710693159.X

申请日：2017-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑安皓 ,  刘峻昌 ,  叶昇韦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包含沉积第一钝化层在基板之上，沉积导电材料在第一钝化层之上，图案化导电材料以形成重分布层(RDL)结构，以及沉积用以改变重分布层结构顶部形状的第二钝化层。

公开(公告)号：CN110310936A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201810582909.0

申请日：2018-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毕诗伟 ,  叶昇韦 ,  陈彦羽 ,  郑文豪 ,  林志威 ,  林群智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的互连结构；以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层；设置在阻挡层上的扩散层，其中，扩散层包括金属和氧；以及设置在扩散层上的金属层。本发明实施例还提供另一种集成电路结构和一种制造集成电路结构的方法。

公开(公告)号：CN108122826B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201710693159.X

申请日：2017-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑安皓 ,  刘峻昌 ,  叶昇韦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包含沉积第一钝化层在基板之上，沉积导电材料在第一钝化层之上，图案化导电材料以形成重分布层(RDL)结构，以及沉积用以改变重分布层结构顶部形状的第二钝化层。

公开(公告)号：CN115763425A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211627242.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毕诗伟 ,  叶昇韦 ,  陈彦羽 ,  郑文豪 ,  林志威 ,  林群智

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的互连结构；以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层；设置在阻挡层上的扩散层，其中，扩散层包括金属和氧；以及设置在扩散层上的金属层。本发明实施例还提供另一种集成电路结构和一种制造集成电路结构的方法。

公开(公告)号：CN109585360A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201711206286.9

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毕诗伟 ,  叶昇韦 ,  陈彦羽 ,  郑文豪 ,  林志威 ,  林群智

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种接合垫形成方法，此方法包括钽(Ta)导电层以阻挡在铝-铜(AlCu)金属填充层沉积期间产生的可移动的离子电荷。例如，此方法包括在基板上形成一个或多个内连线层，并在此一个或多个内连线层的顶部内连线层上形成介电质。在介电质中形成第一凹口，以从顶部内连线层暴露线路或介层窗。在第一凹口中形成导电层，以形成比第一凹口小的第二凹口。在第二凹口中形成阻挡金属层，以形成比第二凹口小的第三凹口。形成金属以填充第三凹口。