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公开(公告)号：CN104916542A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410325343.5
申请日：2014-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66492 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66651 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H01L29/7834
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底，以及形成在衬底中的源极区和漏极区。该半导体器件还包括形成在源极区和漏极区之间的衬底的凹槽中的杂质扩散停止层，其中，杂质扩散停止层覆盖凹槽的底部和侧壁。该半导体器件还包括形成在杂质扩散停止层上方和凹槽中的沟道层，以及形成在沟道层上方的栅极堆叠件。杂质扩散停止层基本防止了衬底和源极区与漏极区中的杂质扩散到沟道层中。本发明还涉及半导体器件的结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102214664A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010254695.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种背照式传感器的隔绝感测元件及其制造方法。在一实施例中，上述半导体装置的制造方法包括提供一感测层，其具有一前表面和一后表面，且于上述感测层的上述前表面中形成多个前侧沟槽。上述方法可还包括将氧注入上述感测层中穿过上述前侧沟槽，且将注入的氧退火，以于上述感测层中形成多个第一氧化硅块状物，其中每一个上述第一氧化硅块状物设置大体上相邻于一各别的上述前侧沟槽，以形成一隔绝物。本发明可抑制光电子漏至相邻像素，且因而降低或大体上消除感测元件之间的电串音。
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公开(公告)号：CN119835948A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411884922.3
申请日：2024-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D1/68 , H01L23/522
Abstract: 一种电容器及其制造方法及具有包含电容器的互连结构的半导体装置，互连结构可包括指定结构的电容器及/或包围电容器的保护环。电容器可包括具有扩展宽度的弓形区，弓形区准许包含含有空气或另一气体的孔隙。可替代地，电容器可为金属‑绝缘体‑金属电容器或具有垂直沟槽及水平板材且由保形层形成的金属‑绝缘体‑金属‑绝缘体‑金属电容器。保护环降低了可能损坏电容器的杂讯。这三个特征的任何组合皆可用于提高电容及可靠性。
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公开(公告)号：CN113130481B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202011460737.3
申请日：2020-12-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。在一实施方式中，半导体装置包括：一基板其包括一核心装置区域和一输入/输出装置(I/O)装置区域；在核心装置中的多个核心装置，多个核心装置中的各者包括沿着第一方向延伸的第一主动区域；以及在输入/输出装置区域中的多个第一输入/输出装置(I/O)晶体管，多个第一输入/输出装置(I/O)晶体管中的各者包括沿着第一方向延伸的第二主动区域。第一主动区域包括第一宽度其沿着垂直于第一方向的第二方向，并且第二主动区域包括第二宽度其沿着第二方向。第二宽度大于第一宽度。
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公开(公告)号：CN119443020A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411403686.9
申请日：2024-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/39
Abstract: 提供了一种设计半导体结构的方法。该方法包括判定接触结构图的第一热点区域。该方法包括根据第一预定义扩大轮廓来扩大该第一热点区域，以判定该接触结构图的第一扩大区域。该方法包括判定该第一扩大区域的第一部分与功能组件的功能区域重叠。该方法包括判定该接触结构图的不包括该第一扩大区域的该第一部分的裁切区域。该方法包括基于该裁切区域来更新第一图案化氧化物层图，以产生更新的图案化氧化物层图。上述的方法达成了减少量的保留在半导体装置中的该组接触结构上的残留物，诸如金属残留物。减少的残留物量达成了半导体装置的改良的操作、减少的损失、增加的产量、改良的生产效率等中的至少一者。
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公开(公告)号：CN119108401A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411111634.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238
Abstract: 本申请的实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括与衬底中的第二阱区横向分离的第一阱区，在衬底中横向位于第一阱区和第二阱区之间的浅沟槽隔离(STI)结构，与衬底中的第一阱区的掺杂剂类型相反的掺杂剂类型、垂直地低于STI结构并且横向位于第一阱区与STI结构的横向中心之间的第一注入区、和与衬底中的第二阱区的掺杂剂类型相反的掺杂剂类型、垂直地低于STI结构并且横向位于第二阱区和STI结构的横向中心之间的第二注入区。
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公开(公告)号：CN113809014B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110476823.1
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/146
Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括提供工件，工件包括：位于该工件的第一区域中的第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；位于该工件的第二区域中的第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件；位于第一伪栅极堆叠件、第二伪栅极堆叠件、第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件中的每一个的上方的硬掩模层。方法还包括：在工件上方沉积光刻胶(PR)层，以在第一区域上方形成第一PR层部分，并且在第二区域上方形成第二PR层部分；以及选择性地在第三伪栅极堆叠件上方形成穿过第二PR层部分的第一开口，并且在第四伪栅极堆叠件上方形成穿过第二PR层部分的第二开口。
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公开(公告)号：CN113345962B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110005537.7
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：形成自半导体衬底凸出的位于鳍部上方的伪栅极堆叠件；形成位于伪栅极堆叠件的侧壁上的栅极间隔件；形成位于鳍部的部分上方的源极/漏极(S/D)部件；形成位于栅极间隔件之间的栅极沟槽，其包括修整栅极间隔件的顶部，以形成位于栅极沟槽中的漏斗状开口；以及形成位于栅极沟槽中的金属栅极结构。在本实施例中，形成栅极沟槽。一种半导体结构包括：鳍部，自衬底凸出；金属栅极结构，设置在鳍部上方；栅极间隔件，设置在金属栅极结构的侧壁上；其中，每个栅极间隔件的顶面都成角度朝向半导体鳍部；介电层，设置在每个栅极间隔件的顶面上方；以及导电部件，设置在栅极间隔件之间，以接触金属栅极结构；其中，导电部件的侧壁接触介电层，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。
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公开(公告)号：CN111863712B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010268658.6
申请日：2020-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 形成半导体结构的方法包括接收具有衬底、位于衬底上方的导电部件以及位于导电部件上方的介电层的结构。该方法还包括在介电层中形成孔以暴露导电部件；在孔的侧壁上形成第一含金属层；并且在孔中形成由第一含金属层围绕的第二含金属层。第一含金属层和第二含金属层包括不同的材料。该方法还包括施加第一化学物质以使介电层凹进，从而使得第一和第二含金属层的顶部突出在介电层之上；并且将具有氟或氯的第二化学物质施加到第一含金属层的顶部，以将第一含金属层的顶部转化为金属氟化物或金属氯化物。本发明的实施例还涉及半导体结构。
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公开(公告)号：CN114520192A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210021210.3
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供了半导体器件和方法。实施例包括一种半导体器件，该半导体器件包括从衬底延伸的多个鳍结构，多个鳍结构具有多个第一鳍结构和多个第二鳍结构。半导体器件还包括位于衬底上并且被布置在多个鳍结构之间的多个隔离区域。该器件还包括位于多个隔离区域上的多个栅极结构。该器件还包括位于多个第一鳍结构上的多个外延结构。该器件还包括位于多个外延结构上的多个接触件结构，其中多个第一鳍结构、多个栅极结构、多个外延结构和多个接触件结构是一个或多个谐振器的元件。
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