-
公开(公告)号：CN116564942A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310243777.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种结构和方法，涉及一种带有电阻器和电容器的半导体结构、系统及其形成方法，该半导体结构具有通过单掩模工艺形成的电阻器结构和金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。半导体结构包括位于衬底上的互连结构、位于互连结构上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上并由第二绝缘层分开的第一和第二导电板、位于第一导电板上的介电层和位于介电层上第三导电板。第一和第二导电板的底面是共面的。
-
公开(公告)号：CN108933175B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN201711268385.X
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , G06F30/392
Abstract: 一种半导体装置包括：主动区域，其排列在与第一方向平行的第一栅格中；及栅电极，其间隔排列在第二栅格中且覆盖对应的一主动区域，第二栅格与第二方向平行，第二方向与第一方向正交。第一缝隙散布在相邻的主动区域之间。于对应栅电极横跨对应主动区域及栅电极未功能地连接至对应主动区域的天桥交叉点，栅电极大体上未延伸超过对应主动区域且因此大体上未延伸至对应缝隙中。生成半导体装置布局的方法与生成半导体装置布局的非暂态计算机可读媒体亦在此揭露。
-
公开(公告)号：CN108962888A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810468626.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体结构，包括：第一和第二主动区域，第一和第二主动区域设置于沿着一第一方向取向的一第一栅格中；以及多个栅极电极，栅极电极间隔布置于一第二栅格中，并位于对应的第一和第二主动区域上，第二栅格沿着一第二方向取向，第二方向实质上垂直于第一方向；其中：第一和第二主动区域相对于第二方向被一间隙所分开；各栅极电极包括一第一段和一栅极延伸；各栅极延伸相对于第二方向延伸超过对应的主动区域，并以高度HEXT进入间隙，其中HEXT≤(≈150nm)；以及各栅极延伸相对于由第一和第二方向所界定的一平面为实质上矩形。在一实施例中，高度HEXT为HEXT≤(≈100nm)。
-
公开(公告)号：CN112310199A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010546169.2
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体器件包括晶体管的沟道组件和设置在沟道组件上方的栅极组件。栅极组件包括：介电层、设置在介电层上方的第一功函金属层、设置在第一功函金属层上方的填充金属层和设置在填充金属层上方的第二功函金属层。本发明的实施例还涉及晶体管的栅极结构和形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN108933175A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201711268385.X
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , G06F17/50
Abstract: 一种半导体装置包括：主动区域，其排列在与第一方向平行的第一栅格中；及栅电极，其间隔排列在第二栅格中且覆盖对应的一主动区域，第二栅格与第二方向平行，第二方向与第一方向正交。第一缝隙散布在相邻的主动区域之间。于对应栅电极横跨对应主动区域及栅电极未功能地连接至对应主动区域的天桥交叉点，栅电极大体上未延伸超过对应主动区域且因此大体上未延伸至对应缝隙中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112310199B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010546169.2
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体器件包括晶体管的沟道组件和设置在沟道组件上方的栅极组件。栅极组件包括：介电层、设置在介电层上方的第一功函金属层、设置在第一功函金属层上方的填充金属层和设置在填充金属层上方的第二功函金属层。本发明的实施例还涉及晶体管的栅极结构和形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN117276269A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310973058.3
申请日：2023-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 黄一珊
IPC: H01L27/02
Abstract: 根据一些实施例，本发明的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括具有第一电路区域和第二电路区域的半导体衬底、包括设置在第一电路区域中的第一栅极堆叠件的第一晶体管、包括设置在第二电路区域中的第二栅极堆叠件的第二晶体管、以及设置在第一电路区域和第二电路区域之间的保护环结构。第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件具有不同的材料组成。保护环结构完全围绕第二电路区域。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN109273530B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201710978729.X
申请日：2017-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其中，第二栅极端宽度小于第一栅极端宽度。
-
公开(公告)号：CN113345962B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110005537.7
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：形成自半导体衬底凸出的位于鳍部上方的伪栅极堆叠件；形成位于伪栅极堆叠件的侧壁上的栅极间隔件；形成位于鳍部的部分上方的源极/漏极(S/D)部件；形成位于栅极间隔件之间的栅极沟槽，其包括修整栅极间隔件的顶部，以形成位于栅极沟槽中的漏斗状开口；以及形成位于栅极沟槽中的金属栅极结构。在本实施例中，形成栅极沟槽。一种半导体结构包括：鳍部，自衬底凸出；金属栅极结构，设置在鳍部上方；栅极间隔件，设置在金属栅极结构的侧壁上；其中，每个栅极间隔件的顶面都成角度朝向半导体鳍部；介电层，设置在每个栅极间隔件的顶面上方；以及导电部件，设置在栅极间隔件之间，以接触金属栅极结构；其中，导电部件的侧壁接触介电层，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。
-
公开(公告)号：CN108962888B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201810468626.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体结构，包括：第一和第二主动区域，第一和第二主动区域设置于沿着一第一方向取向的一第一栅格中；以及多个栅极电极，栅极电极间隔布置于一第二栅格中，并位于对应的第一和第二主动区域上，第二栅格沿着一第二方向取向，第二方向实质上垂直于第一方向；其中：第一和第二主动区域相对于第二方向被一间隙所分开；各栅极电极包括一第一段和一栅极延伸；各栅极延伸相对于第二方向延伸超过对应的主动区域，并以高度HEXT进入间隙，其中HEXT≤(≈150nm)；以及各栅极延伸相对于由第一和第二方向所界定的一平面为实质上矩形。在一实施例中，高度HEXT为HEXT≤(≈100nm)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.028 seconds)
