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发明公开
具有电阻器和电容器的半导体结构、系统及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN116564942A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310243777.X

申请日：2023-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧茹雄 , 林震宾 , 孙杰 , 陈柏颖 , 黄一珊

IPC: H01L23/64 , H01L27/01 , H01L21/70 , H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种结构和方法，涉及一种带有电阻器和电容器的半导体结构、系统及其形成方法，该半导体结构具有通过单掩模工艺形成的电阻器结构和金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。半导体结构包括位于衬底上的互连结构、位于互连结构上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上并由第二绝缘层分开的第一和第二导电板、位于第一导电板上的介电层和位于介电层上第三导电板。第一和第二导电板的底面是共面的。

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