公开(公告)号：CN116564942A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310243777.X

申请日：2023-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧茹雄 ,  林震宾 ,  孙杰 ,  陈柏颖 ,  黄一珊

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/01 ,  H01L21/70 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种结构和方法，涉及一种带有电阻器和电容器的半导体结构、系统及其形成方法，该半导体结构具有通过单掩模工艺形成的电阻器结构和金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。半导体结构包括位于衬底上的互连结构、位于互连结构上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上并由第二绝缘层分开的第一和第二导电板、位于第一导电板上的介电层和位于介电层上第三导电板。第一和第二导电板的底面是共面的。

公开(公告)号：CN115763375A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210726188.2

申请日：2022-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨松鑫 ,  萧茹雄 ,  苏庆煌 ,  林震宾 ,  詹文炘

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 半导体结构包括：块状半导体衬底；第一多个介电隔离区域，位于块状半导体衬底上方；多个半导体鳍，突出高于第一多个介电隔离区域；第一栅极堆叠件，位于多个半导体鳍的顶面和侧壁上；第二多个介电隔离区域，位于块状半导体衬底上方；台面结构，位于第二多个介电隔离区域中；以及第二栅极堆叠件，位于台面结构上方。第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的顶面彼此共面。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。