公开(公告)号：CN106024767A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510798938.7

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈隆 ,  郭康民 ,  詹文炘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该半导体器件结构也包括位于半导体衬底上方的源极/漏极结构，并且源极/漏极结构包括掺杂剂。该半导体器件结构还包括位于栅极堆叠件下方的沟道区。此外，该半导体器件结构包括围绕源极/漏极结构的半导体层。半导体层配置为防止掺杂剂进入沟道区。

公开(公告)号：CN104241250B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201410234656.X

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈眉君 ,  郝静晨 ,  詹文炘 ,  王昭瑞

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L29/408 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括具有第一掺杂区和第二掺杂区的半导体衬底以及形成在半导体衬底上的栅叠层。该半导体器件也包括形成在栅叠层的侧壁上的主间隔件层。半导体器件还包括形成在主间隔件层和半导体衬底之间的保护层，并且保护层掺杂有四价元素。此外，该半导体器件包括形成在半导体衬底和栅叠层上的绝缘层以及形成在绝缘层内的接触件。该接触件具有与第一掺杂区相接触的第一部分且具有与第二掺杂区相接触的第二部分。第一部分比第二部分更深地延伸到半导体衬底中。本发明还提供了用于形成接触件的掺杂保护层。

公开(公告)号：CN115763375A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210726188.2

申请日：2022-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨松鑫 ,  萧茹雄 ,  苏庆煌 ,  林震宾 ,  詹文炘

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 半导体结构包括：块状半导体衬底；第一多个介电隔离区域，位于块状半导体衬底上方；多个半导体鳍，突出高于第一多个介电隔离区域；第一栅极堆叠件，位于多个半导体鳍的顶面和侧壁上；第二多个介电隔离区域，位于块状半导体衬底上方；台面结构，位于第二多个介电隔离区域中；以及第二栅极堆叠件，位于台面结构上方。第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的顶面彼此共面。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN106024767B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201510798938.7

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈隆 ,  郭康民 ,  詹文炘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该半导体器件结构也包括位于半导体衬底上方的源极/漏极结构，并且源极/漏极结构包括掺杂剂。该半导体器件结构还包括位于栅极堆叠件下方的沟道区。此外，该半导体器件结构包括围绕源极/漏极结构的半导体层。半导体层配置为防止掺杂剂进入沟道区。

公开(公告)号：CN106887456A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611156536.8

申请日：2016-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶启瑞 ,  詹文炘 ,  郭康民

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/535 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括衬底、栅极结构、介电层、蚀刻停止层和粘合层。栅极结构形成在衬底上方。介电层形成在栅极结构旁边。粘合层覆盖栅极结构的顶面且延伸至介电层的第一顶面。蚀刻停止层在粘合层上方且与介电层的第二顶面接触。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN104241250A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410234656.X

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈眉君 ,  郝静晨 ,  詹文炘 ,  王昭瑞

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L29/408 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括具有第一掺杂区和第二掺杂区的半导体衬底以及形成在半导体衬底上的栅叠层。该半导体器件也包括形成在栅叠层的侧壁上的主间隔件层。半导体器件还包括形成在主间隔件层和半导体衬底之间的保护层，并且保护层掺杂有四价元素。此外，该半导体器件包括形成在半导体衬底和栅叠层上的绝缘层以及形成在绝缘层内的接触件。该接触件具有与第一掺杂区相接触的第一部分且具有与第二掺杂区相接触的第二部分。第一部分比第二部分更深地延伸到半导体衬底中。本发明还提供了用于形成接触件的掺杂保护层。