公开(公告)号：CN107706171A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201610954883.9

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  余振华 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿

IPC: H01L23/522 ,  H01F38/14

Abstract: 一种线圈结构的形成方法。线圈结构包括衬底。多个线圈设置在衬底上，且每一线圈包括形成连续螺旋结构的导电元件。连续螺旋结构在线圈结构的上视图中呈六边形。线圈排列成蜂窝状图案，且每一导电元件与外部电路电连接。

公开(公告)号：CN106653744A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610624175.9

申请日：2016-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈颉彦 ,  郭鸿毅 ,  王垂堂 ,  蔡豪益 ,  余振华 ,  陈韦廷 ,  曾明鸿 ,  林彦良

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/768 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/24

Abstract: 一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN103681367B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310021904.8

申请日：2013-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘国龙 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了封装方法和封装器件。在一个实施例中，封装半导体器件的方法包括在载体上方形成第一再分布层(RDL)并且在第一RDL上方形成多个装配通孔(TAV)。集成电路管芯连接在第一RDL上方，并且在第一RDL、TAV和集成电路管芯上方形成模塑料。在模塑料、TAV和集成电路管芯上方形成第二RDL。

公开(公告)号：CN105895603A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510673795.7

申请日：2015-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宗宪 ,  庄其达 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L24/14 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5386 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括：具有形成在一个表面上的多个导电部件的第一衬底；以及与第一衬底机械接合并且电连接的多个芯片。芯片的第一芯片具有附接至导电部件的第一导电部件的第一凸块。第一凸块在与第一衬底的表面平行的平面中具有伸长的截面。第一衬底和第一芯片以使得第一凸块的长轴定向为指向第一衬底的中心位置并且指向远离第一芯片的中心位置的配置接合。本发明涉及具有衬底隔离和未掺杂的沟道的集成电路结构。

公开(公告)号：CN102208409A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201010501849.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  吴伟诚 ,  魏修平 ,  陈志华 ,  郭正铮 ,  陈承先 ,  曾明鸿

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供集成电路结构，包括半导体芯片，金属垫在半导体芯片的主要表面上，以及凸块下金属层在金属垫之上与金属垫接触，金属凸块形成于凸块下金属层之上与凸块下金属层电性连接，伪图案形成在与金属垫相同的水平面上，且由与金属垫相同的金属材料形成。本发明对于改善芯片的可靠度具有显著的效果。

公开(公告)号：CN101814477A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010119558.3

申请日：2010-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾明鸿 ,  黃招胜

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了利用钝化后互连结构形成硅通孔的集成电路结构，包括：半导体衬底；硅通孔(TSV)，延伸到半导体衬底中；焊盘，形成在半导体衬底上方，并与TSV隔开；以及互连结构，形成在半导体衬底上方，并电连接TSV和焊盘。该互连结构包括形成在焊盘上的上部和与焊盘相邻的下部，并且上部延伸以电连接TSV。

公开(公告)号：CN101740553A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910222543.7

申请日：2009-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卿恺明 ,  萧景文 ,  王宗鼎 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/473 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/46 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括3DIC叠层中的冷却通道的集成电路结构，该管芯包括：半导体衬底；第一介电层，在半导体衬底之上；互连结构，包括介电层中的金属线和通孔；多个通道，从半导体衬底内部延伸到介电层内部；以及介电膜，在互连结构之上并密封多个通道的一部分。多个通道被配置为使液体流过其中。

公开(公告)号：CN115497929A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210137523.5

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  谢政杰 ,  江宗宪 ,  江慧君 ,  黄子松 ,  曾明鸿 ,  庄立朴 ,  翁崇铭 ,  于宗源 ,  刘醇鸿

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供一种包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一绝缘包封体、介电层结构、导体结构和第二绝缘包封体的半导体封装。第一半导体晶粒包括从半导体基底的第一侧延伸到第二侧的第一半导体基底和硅穿孔(TSV)。第二半导体晶粒设置在半导体基底的第一侧。第二半导体晶粒上的第一绝缘包封体封装了第一半导体晶粒。TSV的末端与第一绝缘包封体的表面共面。介电层结构覆盖了第一半导体晶粒和第一绝缘包封体。导体结构延伸穿过介电层结构并与硅穿孔接触。第二绝缘包封体与第二半导体晶粒、第一绝缘封装和介电层结构接触。

公开(公告)号：CN109585404B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201810141147.0

申请日：2018-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭庭豪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种半导体封装，所述半导体封装包括第一装置封装，所述第一装置封装包括：第一重布线结构，包括第一重布线及第二重布线；管芯，位于第一重布线结构上；第一通孔，耦合到第一重布线的第一侧；第二通孔，耦合到第二重布线的第一侧且延伸穿过所述第二重布线；包封体，环绕管芯、第一通孔、及第二通孔；以及第二重布线结构，位于包封体之上，所述第二重布线结构电连接到管芯、第一通孔、及第二通孔。所述半导体封装还包括：第一导电连接件，耦合到第一重布线的第二侧，所述第一导电连接件沿与第一通孔的纵向轴线不同的轴线设置；第二导电连接件，耦合到第二重布线的第二侧，所述第二导电连接件沿第二通孔的纵向轴线设置。

公开(公告)号：CN113097184A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202011521563.7

申请日：2020-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘仁福 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 在一个实施例中，一种结构包括：第一集成电路管芯，包括第一管芯连接器；第一介电层，位于第一管芯连接器上；第一导电过孔，延伸穿过第一介电层，第一导电过孔连接至第一管芯连接器的第一子集；第二集成电路管芯，利用第一可回流连接器接合至第一管芯连接器的第二子集；第一密封剂，围绕第二集成电路管芯和第一导电过孔，第一密封剂和第一集成电路管芯横向地相邻；第二导电过孔，与第一集成电路管芯相邻；第二密封剂，围绕第二导电过孔、第一密封剂、和第一集成电路管芯；以及第一再分布结构，包括第一再分布线，第一再分布线连接至第一导电过孔和第二导电过孔。本申请的实施例还提供一种形成半导体结构的方法。