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公开(公告)号：CN117648902A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311486006.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/398 , G16C60/00 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。
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公开(公告)号：CN117113894A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311049359.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F30/398
Abstract: 本发明的一种电路结构的单粒子效应数值仿真方法，能够在不开展地面辐照试验的情况下，通过数值仿真得到电路结构中的单粒子效应响应情况。该方法主要利用计算机辅助仿真工具对电路结构进行结构和物理建模，并辅助以半导体测试方法提取真实电路结构的电学参数信息，完成对实际物理过程的仿真。首先测量集成电阻的物理尺寸，根据实际尺寸对集成电阻进行结构建模；接着为模型添加物理过程，使数值仿真根据物理模型求解；然后测量集成电阻电阻的实际电阻值，根据实际电阻值为建立的模型进行校准。最后优化模型的数值仿真求解过程，提高数值仿真的精度和速度，不需要对电阻器开展价格昂贵的辐照试验，避免了试验过程中的试验误差，成本低、操作简单。
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公开(公告)号：CN116990650A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310537408.1
申请日：2023-05-15
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种瞬态热阻曲线优化TSV转接板散热性能的结构分析方法包括：制备TSV结构单元中心点间距不同的TSV转接板；测试TSV转接板击穿电压曲线；将二极管芯片封装在TSV转接板上，获得TSV结构单元中心点间距不同的二极管器件；采用瞬态热阻法测试二极管器件微分结构函数曲线，获得TSV结构单元中心点间距与热阻参数关系；根据TSV转接板击穿电压曲线和热阻曲线，确定最佳TSV结构单元中心点间距范围。本发明采用瞬态热阻法将TSV转接板的散热性能从二极管器件的散热性能中孤立出来，结合TSV转接板的绝缘性能，确定了TSV结构单元中心点安全间距范围，解决了传统方法无法从实验角度量化TSV转接板内硅通孔密度对二极管器件散热性能和绝缘性能的影响。
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公开(公告)号：CN114408309B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN116295845A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211184228.1
申请日：2022-09-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法，包括：制备倒装封装的GaN基LED器件；积分球透射法测试蓝宝石基片红外透射率；红外相机间接表征YAG:Ce3+荧光胶的红外透射状态；积分球反射计法测试GaN基LED芯片的红外发射率；特定光谱波长的锑化铟红外透射法和瞬态热阻法分别测试GaN基LED芯片温度，验证锑化铟红外透射法的测温准确性；GaN基LED器件接入老化电路，特定光谱波长的锑化铟红外透射法实时监测GaN基LED芯片温度。本发明验证了特定波长红外光在蓝宝石基片和YAG:Ce3+荧光胶的透射性，解决现有技术无法实时监测倒装封装的GaN基LED芯片温度的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111579956B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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公开(公告)号：CN110333432B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910613866.2
申请日：2019-07-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化镓微波功率器件结温测定方法，包括如下步骤：S1、计算氮化镓微波功率管的管芯热分布；S2、器件衬底和管壳温度校准；S3、利用微区拉曼法进行氮化镓层温度测量；S4、利用热反射成像法进行栅极金属温度测量；S5、利用有限元分析方法分层计算氮化镓层的最高结温和三维温度分布。本发明可以获取氮化镓微波功率器件的工作状态下的最高结温位置点、沟道温度分布和三维温度分布。通过仿真和实验测量数据结合的方法可以校验测试的数据有效性，最大可能避免因意外因素产生的测量误差和真实结温外推误差，采用上下边界条件来计算拟合氮化镓器件的结温，具有更准确的结温的有益效果。
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公开(公告)号：CN111579956A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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公开(公告)号：CN111392250A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010207806.3
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种模块化危险化学品存储装置，其特征在于，包括至少两个存储盒，每两个存储盒之间通过连接件拼接成整体；其中，存储盒为长方体或正方体，由底板以及四个侧板围绕形成的放置腔(3)，放置腔(3)的上盖开设有孔，形成放置槽(2)，所述放置槽(2)的个数根据使用环境确定。
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公开(公告)号：CN111337779A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010220887.0
申请日：2020-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明的元器件在轨飞行评价验证方法包括：1)确定被验证元器件在轨飞行评价验证阶段的工作状态；2)确定被验证元器件在轨飞行评价验证所需测试的功能及参数；3)研制开发在轨测试系统；4)对在轨测试系统进行地面标定试验；5)组装被验证元器件与在轨测试系统，并随航天器一起发射入轨；在轨期间，被验证元器件按步骤1)确定的工作状态运行，在轨测试系统在太空中对被验证元器件的功能及参数进行测试，该功能及参数即是步骤2)确定的所需测试和监测的功能及参数；6)在轨测试数据下传；7)开展被验证元器件在轨测试数据的分析和判读。
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