公开(公告)号：CN109075198B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201680083795.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  冈诚次 ,  川上刚史 ,  古川彰彦 ,  时冈秀忠 ,  津田睦 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。

公开(公告)号：CN104350607B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201280073884.2

申请日：2012-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山绫 ,  渕上宏幸 ,  时冈秀忠

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/074

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 目的在于得到一种抑制缺陷的产生、光电变换效率高的太阳能电池。该太阳能电池具备形成有金字塔状的凹凸部P的n型单晶硅基板1的单晶体等的硅基板、和在该单晶硅基板上形成的非晶质或者微晶半导体层，在所述单晶硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部P的谷部形成了平坦部F。通过该结构，能够使由大致(111)面形成的70～85°的陡峭的凹部角度广角化为115～135°。因此，能够消除由倒角形状所引起的原子台阶状的形状变化，能够抑制非晶质或者微晶半导体层中的外延生长以及缺陷。

公开(公告)号：CN106463605A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078505.8

申请日：2014-08-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下彰 ,  本並薰 ,  藤原伸夫 ,  时冈秀忠

IPC: H01L35/32

CPC classification number: H01L35/32 ,  F01N5/025 ,  H01L35/10 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/20 ,  H01L35/34

Abstract: 热电变换装置100具备基板10和两个热电元件11、12。基板10具有平坦部6以及凹部5。热电元件11(12)各自的一端与平坦部6相接，另一端在凹部5的底面与热电元件12(11)相接。热电元件11、12分别在凹部5内的空间被架设。热电变换装置100能够使用光刻技术而制造。热电变换装置100能够嵌入于排气再循环装置。

公开(公告)号：CN104205359B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201280071065.4

申请日：2012-03-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松浦努 ,  山林弘也 ,  时冈秀忠

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在背接触型的异质结型光电变换装置中，其目的在于，一并地制作包括p型非晶硅膜(4)正上方的电极和n型非晶硅膜(5)正上方的透明导电性氧化物的透明导电膜(6)，得到接近欧姆接触的接合。包括：在n型非晶硅膜(5)上以及p型非晶硅膜(4)上一并形成氧化物电极层的工序；以及在覆盖n型非晶硅膜(5)或者p型非晶硅膜(4)中的某一方的透明导电膜(6)上配置了掩模的状态下，向露出了的透明导电膜(6)照射等离子体的工序。

公开(公告)号：CN102947947B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180030581.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西博文 ,  时冈秀忠

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/046 ,  H01L31/056

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明的目的在于将半导体层与背面电极之间的电阻也保持得低、并且提高通过了半导体层的光的反射率来实现光电变换效率高的光电变换装置。为此，提供一种光电变换装置，在透光绝缘基板（1）上将表面电极（2）、由半导体材料构成的光电变换层（4）、由透明导电氧化物构成的透明导电层（7）、以及由金属材料构成的背面电极（6）按照该顺序层叠，在该光电变换装置中，由以硅为主成分的半导体材料构成、且折射率比所述透明导电层高的导电层（8）与所述透明导电层（7）和所述背面电极（6）相接而被夹住。

公开(公告)号：CN104205359A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201280071065.4

申请日：2012-03-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松浦努 ,  山林弘也 ,  时冈秀忠

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在背接触型的异质结型光电变换装置中，其目的在于，一并地制作包括p型非晶硅膜(4)正上方的电极和n型非晶硅膜(5)正上方的透明导电性氧化物的透明导电膜(6)，得到接近欧姆接触的接合。包括：在n型非晶硅膜(5)上以及p型非晶硅膜(4)上一并形成氧化物电极层的工序；以及在覆盖n型非晶硅膜(5)或者p型非晶硅膜(4)中的某一方的透明导电膜(6)上配置了掩模的状态下，向露出了的透明导电膜(6)照射等离子体的工序。

公开(公告)号：CN102089884B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN200980126260.0

申请日：2009-05-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山林弘也 ,  时冈秀忠 ,  山向干雄

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明能够得到一种薄膜太阳能电池，通过在透明绝缘基板(1)上形成在基板面内相互分离的多个第一透明导电膜(2)，在第一透明导电膜(2)上形成第二透明导电膜，将第二透明导电膜蚀刻为粒状来形成分散在第一透明导电膜(2)上的第一粒状体(4a)，在第一透明导电膜(2)上以及分散的第一粒状体(4a)上形成发电层(5)，在发电层(5)上形成背面电极层(6)，从而实现具有表面粗糙度小的微细表面凹凸并且面内的电阻大致均匀的透明电极。

公开(公告)号：CN102239571B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN200980148258.3

申请日：2009-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 时冈秀忠 ,  山林弘也 ,  折田泰

IPC: H01L31/0224 ,  H01L27/142 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/50

Abstract: 包括：第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。

公开(公告)号：CN102947947A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180030581.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西博文 ,  时冈秀忠

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明的目的在于将半导体层与背面电极之间的电阻也保持得低、并且提高通过了半导体层的光的反射率来实现光电变换效率高的光电变换装置。为此，提供一种光电变换装置，在透光绝缘基板（1）上将表面电极（2）、由半导体材料构成的光电变换层（4）、由透明导电氧化物构成的透明导电层（7）、以及由金属材料构成的背面电极（6）按照该顺序层叠，在该光电变换装置中，由以硅为主成分的半导体材料构成、且折射率比所述透明导电层高的导电层（8）与所述透明导电层（7）和所述背面电极（6）相接而被夹住。

公开(公告)号：CN102422435A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020426.3

申请日：2010-01-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 折田泰 ,  山林弘也 ,  时冈秀忠 ,  山向干雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/046 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 在薄膜太阳能电池(10)中，在透光性绝缘基板(2)上配置将由透明导电膜构成的第1电极层(3)、进行光电变换的光电变换层(4、14)、以及由反射光的导电膜构成的第2电极层(5)按照这个顺序进行层叠而成的多个薄膜太阳能电池单元(1)，并且邻接的所述薄膜太阳能电池单元(1)彼此串联电连接，其中，所述第1电极层(3)具有凹陷部(3a、D1)，所述凹陷部(3a、D1)的底部被绝缘材料填埋。由此，可得到防止由在透光性绝缘基板(2)上层叠的第1电极层(3)的凹陷部(3a、D1)所引起的特性变差的光电变换特性优良的薄膜太阳能电池。