公开(公告)号：CN1322863A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN01112068.1

申请日：2001-03-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: C25D19/00 ,  C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  C25D5/10 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种简单的焊料电镀装置,其用一个搬送轨道来形成连续多个组合的电镀膜。该电镀装置至少有两排装有不同构成的电镀液的多个电镀浴槽的电镀浴槽移动部件。此外,在该电镀浴槽移动部件中有空的电镀浴槽、水洗浴槽。而且,这些电镀浴槽按照在导电部件21上形成的电镀液来选择。由此,可以用一个搬送轨道将多个组合的电镀膜连续形成在导电部件21上。

公开(公告)号：CN100457979C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN01112161.0

申请日：2001-03-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L2924/01005 ,  H01L2924/01078

Abstract: 要求用1条传送轨道连续地形成多种组合的电镀膜。为响应这个要求而提供一种简便的焊料电镀装置。本电镀装置在传送轨道下设有多个电镀浴槽，该电镀浴槽设有电镀液贮存浴槽。而且，通过用电镀浴槽与电镀液贮存浴槽来转移电镀液，可以选择形成于导电构件21上的电镀膜。因此，可以用1条传送轨道连续地在导电构件21上形成多种组合的电镀膜。

公开(公告)号：CN100428455C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200510118098.1

申请日：2005-10-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  梅本光雄

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/10 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在半导体衬底(10)的表面上介由第一绝缘膜(11)形成第一焊盘电极层(12)。然后，在它们的上层形成具有将第一焊盘电极层(12)局部露出的第一通孔(101)的第二绝缘膜(13)。然后，在第一通孔(101)内形成塞(14)，在第二绝缘膜(13)上形成与该塞(14)连接的第二焊盘电极层(15)。然后，形成与第二通孔(102)底部的焊盘电极(12)连接的贯通电极(20)及第二配线层(21)。再形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10)。

公开(公告)号：CN100423276C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410007206.3

申请日：2004-02-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  三田清志

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H01L23/28 ,  H04N1/028

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14685 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其为薄型及小型，且机械强度及耐湿性优异。半导体装置(10A)由密封树脂(13)密封具有受光部或发光部的光半导体元件(14)，形成包覆光半导体元件(14)的表面的包覆层(12)由密封树脂(13)的表面露出的结构。因此，和利用透明树脂密封整体的现有例比较，可以形成薄的密封树脂(13)，可以使装置整体的厚度变薄。而且使用混入了填料的密封树脂，构成半导体装置(10)。由此可以形成具有优异的机械强度和耐湿性的半导体装置。

公开(公告)号：CN100397664C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410031869.9

申请日：2004-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  三田清志

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/08 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05169

Abstract: 一种光半导体装置及其制造方法，其可提高耐湿性等。本发明的光半导体装置(10A)包括：光半导体元件(11)，包含受光元件或发光元件的电路部(21)形成于其表面；端子部(17)，其设于所述光半导体元件(11)的背面，而且和所述电路部(21)电连接；被覆层(12)，其被覆所述光半导体元件(11)的表面而且由透明材料构成；密封树脂(16)，其被覆被覆层(12)及光半导体元件(11)的侧面。电路部(21)和端子部(17)也可以由再配线(15)连接。

公开(公告)号：CN100385621C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200510009364.7

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，谋求可靠性的提高。在形成有焊盘电极53的硅晶片(51)的表面粘接玻璃衬底(56)。其次，形成从硅晶片(51)的背面到达焊盘电极(53)的通孔(81)，同时，形成沿切割线中心DS延伸，且从硅晶片(51)的背面贯通硅晶片(51)的槽(82)。然后，利用含有伴随加热处理的工序的各种工序在硅晶片(51)的背面形成缓冲层(60)、配线层(63)、焊接掩模(65)、焊球(66)。最后，将支承在玻璃衬底(56)上的硅晶片(51)切割成各个硅片(51A)。

公开(公告)号：CN101114592A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710138312.9

申请日：2007-07-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  铃木彰 ,  龟山工次郎 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0494

Abstract: 本发明提供一种生产效率高且可靠性和合格品率高的半导体装置及其制造方法。进行半导体衬底(1)的背面磨削(背研磨)，把半导体装置减薄。然后在该阶段不进行把由背面磨削产生的损伤层(7)除去而有选择地在半导体衬底的背面形成抗蚀剂层(8)。然后，以抗蚀剂层(8)作为掩模蚀刻半导体衬底(1)，形成通路孔(9)。然后保持将半导体衬底(1)配置在该蚀刻工序所利用的蚀刻装置内的状态，把形成通路孔(9)和除去抗蚀剂层(8)连续进行。这样，把蚀刻工序和其后的灰化工序以一个处理装置连续进行。然后，把半导体衬底(1)背面的损伤层(7)除去和把通路孔(9)内壁面平坦化的工序也以与上述灰化工序同一装置连续进行。

公开(公告)号：CN101075554A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710104155.X

申请日：2007-05-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  关克行 ,  龟山工次郎 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，特别是利用博世工艺形成有通路孔的半导体装置的制造方法，其目的是实现在通路孔内形成均匀的膜。以掩模层(2)作为掩模，利用博世工艺从半导体基板(1)的一面向另一面进行蚀刻，形成贯通该半导体基板(1)的所规定区域的通路孔(3)。接着，除去掩模层(2)。然后，利用干蚀法除去粗糙形状(4)，使通路孔(3)的内壁面平坦。接着，在通路孔(3)内使绝缘膜或阻挡层等形成均匀的膜。

公开(公告)号：CN1324658C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410061698.4

申请日：2004-06-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  三田清志

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  B24D5/00

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种切削方法及其切削装置，可有效地除去毛刺。该切削方法用于切削半导体器件组的边界部而分离成各个半导体器件，其中，半导体器件组由将具有延展性的第一层和第二层叠层在周边侧的半导体器件排列多个而构成，该方法包括：切削工序，将第一旋转体从所述半导体器件组的边界部向所述第一和所述第二层的叠层方向移动，并切削所述第一和所述第二层；以及毛刺除去工序，将与所述第一旋转体相比为软质并且宽度在其同等以上的第二旋转体从所述半导体器件组的已被切削的边界部向所述叠层方向移动，以除去所述第一层中的毛刺。

公开(公告)号：CN1300385C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200410032007.8

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: C25D21/18

CPC classification number: C25D3/60 ,  C22B7/006 ,  C22B25/04 ,  C23C2/00 ,  C23C18/1617 ,  C25D21/18 ,  Y02P10/234

Abstract: 在现有的电镀处理中，采用新电镀液进行电镀处理时，由于以前使用的电镀液要作为工业废物加以废弃处理，所以，产生环境负荷、废弃成本、新液购入成本等庞大支出的问题。本发明使旧电镀液变成新电镀液加以再利用成为可能，为了实现这个目的，例如，采用下列工序：Sn-Bi合金电镀液的准备工序(S1)；除去配位剂的活性炭处理工序(S2)；Bi的除去工序(S3)；沉降处理工序(S4)；Sn电镀液的分析补充工序(S5)。然后，通过电镀液的再利用，消除电镀液的废物处理，环境负荷、废弃成本、新液的购入成本得到抑制。另外，在液组成的管理中，通过有效地利用原来的数据，可容易地实现管理作业。