公开(公告)号：CN119654530A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380057150.3

申请日：2023-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林树炯 ,  朴重炅 ,  李承勋

IPC: F25D23/02 ,  F25D25/02 ,  E05F11/54 ,  E05D15/06 ,  E05B1/00

Abstract: 这种冰箱包括：主体；储存室，其设置在所述主体内，使得储存室的前表面是敞开的；抽屉式门，所述抽屉式门可滑动地联接到所述主体以敞开和封闭所述储存室，并且包括具有把手凹口部的门盖；以及开门装置，所述开门装置联接到所述门盖并打开所述抽屉式门。所述开门装置包括可旋转地联接到所述门盖的把手杠杆。滑动件被设置在所述把手杠杆的后部处，使得滑动件通过所述把手杠杆而能够在上下方向上沿直线移动。推动器联接在滑动件的后部以能够在前后方向上沿直线移动，并且在滑动件向上移动时，推动器向后沿直线移动以按压主体，从而打开抽屉式门。

公开(公告)号：CN112017965B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202010360788.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成有源图案，有源图案包括交替地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；在有源图案的顶表面和侧壁上形成盖图案；在盖图案上执行沉积工艺以形成绝缘层；以及在绝缘层上形成与有源图案交叉的牺牲栅极图案。盖图案具有晶体结构并且与第一半导体图案的侧壁和第二半导体图案的侧壁物理接触。

公开(公告)号：CN112054057B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010106539.0

申请日：2020-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑揟珍 ,  赵真英 ,  金锡勋 ,  柳廷昊 ,  李承勋 ,  李始炯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。

公开(公告)号：CN109904161B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201811311113.8

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李峭蒑 ,  金锡勋 ,  梁裕信 ,  李承勋 ,  崔珉姬

IPC: H10B10/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案；以及填充形成在第一有源图案的上部上的第一凹部的第一源极/漏极图案。该第一源极/漏极图案包括第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。第一半导体图案具有第一面、第二面和当第一面和第二面彼此会合时限定的第一角边缘。该第二半导体图案覆盖第一半导体图案的第一面和第二面并暴露第一角边缘。

公开(公告)号：CN113571581B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110106943.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎一揆 ,  金旻怡 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

公开(公告)号：CN109786334B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201811324293.3

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张星旭 ,  金锡勋 ,  李承勋 ,  许洋 ,  柳廷昊 ,  柳宗烈 ,  曹荣大

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以将掺杂剂注入到衬底中以形成初始杂质区并加热衬底以将初始杂质区转换成杂质区。加热衬底可以在约800℃至约950℃的环境温度下执行约20分钟至约50分钟。该方法还可以包括在杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽以限定有源鳍，以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层。第一隔离层和第二隔离层可以暴露有源鳍的相反侧。该方法还可以包括形成在有源鳍的相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层，以及形成横越有源鳍的栅电极。

公开(公告)号：CN109427783B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201810253757.X

申请日：2018-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  林青美 ,  成金重 ,  李承勋

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。

公开(公告)号：CN115548017A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210637775.4

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳亥俊 ,  崔庆寅 ,  金成玟 ,  李承勋 ,  金真范

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括第一沟道和第二沟道、第一栅极结构和第二栅极结构、第一源/漏层和第二源/漏层、第一鳍间隔物和第二鳍间隔物、以及第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案。第一沟道竖直设置在衬底的第一区域上。第二沟道竖直设置在衬底的第二区域上。第一栅极结构形成在第一区域上并且覆盖第一沟道。第二栅极结构形成在第二区域上并且覆盖第二沟道。第一源/漏层和第二源/漏层分别接触第一沟道和第二沟道。第一鳍间隔物和第二鳍间隔物分别接触第一源/漏层和第二源/漏层的侧壁和上表面。第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案分别形成在第一鳍间隔物和第二鳍间隔物上，并且分别不接触第一源/漏层和第二源/漏层。

公开(公告)号：CN114068559A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110869424.1

申请日：2021-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁学 ,  李承勋 ,  白尚叶 ,  朴乘汉 ,  李慧珍

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/02 ,  G11C5/06

Abstract: 一种包括存储单元的集成电路包括：第一布线层，其上形成第一位线图案和正电源图案、第一电源线落着焊盘和第一字线落着焊盘；第二布线层，其上形成连接到第一电源线落着焊盘的第一负电源图案和连接到第一字线落着焊盘的第一字线图案；第三布线层，其上形成连接到第一负电源图案的第二负电源图案和连接到第一字线图案的第二字线落着焊盘；以及第四布线层，其上形成连接到第二字线落着焊盘的第二字线图案。

公开(公告)号：CN112786682A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011229502.3

申请日：2020-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  崔庆寅 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种有源图案结构，包括：下有源图案，其在与衬底的上表面基本垂直的竖直方向上从衬底的上表面突出；缓冲结构，其位于下有源图案上，缓冲结构的至少一部分可以包括氧化铝硅；以及上有源图案，其位于缓冲结构上。