公开(公告)号：CN114664813A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111150121.0

申请日：2021-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊范 ,  具湘谟 ,  金旻怡 ,  尹锡玄

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置可以包括设置在基底上的有源图案和在有源图案上的源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括与有源图案的顶表面接触的底表面。半导体装置还可以包括连接到源极/漏极图案的沟道图案、延伸以越过沟道图案的栅电极以及从有源图案的侧表面延伸到源极/漏极图案的下侧表面的围栏绝缘层。一对中间绝缘图案可以在源极/漏极图案的底表面的两侧处且在有源图案与源极/漏极图案之间与围栏绝缘层的内侧表面接触。

公开(公告)号：CN113571581A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110106943.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎一揆 ,  金旻怡 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

公开(公告)号：CN113571581B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110106943.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎一揆 ,  金旻怡 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

公开(公告)号：CN112542454A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010731905.1

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  金洞院 ,  金旻怡 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/732

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：位于衬底中的阱区；位于所述阱区中的杂质区；位于所述杂质区上的第一有源鳍；位于所述阱区上的第二有源鳍；以及穿透所述第二有源鳍并且连接到所述阱区的连接图案。所述衬底和所述杂质区包括具有第一导电类型的杂质。所述阱区包括具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质。所述第一有源鳍包括：在垂直于所述衬底的顶表面的方向上彼此间隔开的多个第一半导体图案。所述第一半导体图案和所述杂质区包括具有所述第一导电类型的杂质。