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公开(公告)号：CN111326434A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910835028.X
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及光谱系统、光学检查装置和半导体器件制造方法。该半导体器件制造方法包括对基板执行第一处理工艺；使用光谱系统检查基板，所述光谱系统包括光入射部件、光出射部件、衍射光栅和可控反射镜设备；以及对被执行了所述第一处理工艺的所述基板执行第二处理工艺。执行检查工艺的步骤包括：将入射光分离成各自具有不同波长的多个光线，所述入射光被提供给所述光入射部件并在所述衍射光栅处被衍射；以及移动所述可控反射镜设备以将所述多个光线中具有第一波长的第一光线反射到所述光出射部件。
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公开(公告)号：CN109904161B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201811311113.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案；以及填充形成在第一有源图案的上部上的第一凹部的第一源极/漏极图案。该第一源极/漏极图案包括第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。第一半导体图案具有第一面、第二面和当第一面和第二面彼此会合时限定的第一角边缘。该第二半导体图案覆盖第一半导体图案的第一面和第二面并暴露第一角边缘。
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公开(公告)号：CN109755153A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810987117.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的装置。用于制造半导体器件的装置可以包括：质量流量控制器，该质量流量控制器被配置为控制供应到工艺室的工艺气体的流率，质量流量控制器被配置为响应于校正信号而调节离开质量流量控制器的工艺气体的流出流率，该校正信号基于流入质量流量控制器的工艺气体的流入流率与参考流率之间的差而产生；传感器，配置为测量工艺室内部的室压力；排气阀，配置为调节从工艺室排出的排出气体的排气速度；以及监测装置，配置为基于校正信号、室压力和排气阀的排气速度来检测质量流量控制器的缺陷。
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公开(公告)号：CN107579013B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201710522341.9
申请日：2017-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供检测方法、制造半导体封装的方法和形成半导体封装的方法。一种检测方法包括：生成包括关于第一图案组的形状的信息的第一布局数据；生成包括关于第二图案组的形状的信息的第二布局数据；获得包括第一图案组和第二图案组的图像的目标图像；以及通过将第一布局数据和第二布局数据与目标图像比较而从所述目标图像检测缺陷图案。第一图案组、第二图案组和缺陷图案被提供在距基板的顶表面的彼此不同的高度处。
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公开(公告)号：CN109904161A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811311113.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案；以及填充形成在第一有源图案的上部上的第一凹部的第一源极/漏极图案。该第一源极/漏极图案包括第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。第一半导体图案具有第一面、第二面和当第一面和第二面彼此会合时限定的第一角边缘。该第二半导体图案覆盖第一半导体图案的第一面和第二面并暴露第一角边缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109309021A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810843480.6
申请日：2018-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开提供了检查基板的系统和方法及使用其制造半导体器件的方法。一种基板检查系统包括：基板支撑件；光学器件，配置为照射基板上的图案化结构以及从由图案化结构反射的光捕获图案化结构的图像；焦点调整装置，操作为调整入射光在图案化结构上的焦点位置；图像处理器，配置为计算焦点偏移的最佳值，以确定用于图案化结构中的缺陷检测的光的焦点。图案化结构可以包括具有开口的第一图案以及具有相对于基板位于不同高度处的顶表面的第二图案。焦点偏移值采用在改变入射光的焦点位置的同时获得的第二图案的顶表面的图像来确定。
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公开(公告)号：CN1447396A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107601.7
申请日：2003-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24D7/12 , G01B11/0625 , G01B11/0683
Abstract: 在化学机械抛光装置及其控制方法中，根据待抛光层的抛光工艺制程制备有关终点检测部件的检测光量的待抛光层的初始厚度表。输入层的抛光工艺制程，并通过将光投射到半导体晶片上，使用终点检测部件检测由层反射的光量。抛光工艺之前参考有关检测光量的层的初始厚度表计算层的厚度作为检测到的光量。抛光到需要的厚度之前，由计算的厚度计算抛光时间。抛光待抛光的层的同时，通过减小计算的抛光时间来检测终点。然后，当检测到终点时，终止抛光工艺。通过仅将程序添加到常规的CMP装置的控制器，可以精确地控制抛光终点，并且可以提高操作条件和效率。
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公开(公告)号：CN109872957B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201811300458.3
申请日：2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时，获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速，以验证测量流速的满刻度误差。
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公开(公告)号：CN109727881B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810928321.6
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种检查缺陷的方法，包括：将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，半导体衬底包括设置在其上的图案，从多个检查区域中的每一个获得光学图像，获得参考区域和比较区域之间的差分图像，参考区域是多个检查区域中的一个，比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，并且可以提供通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。
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公开(公告)号：CN109765189A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810982065.9
申请日：2018-08-27
Abstract: 提供了检查样品中的多层结构而不破坏样品的多层结构检测装置和方法，多层结构检查装置配置为测量反射率和色散两者而不破坏样品，其中，反射率和色散是对于多层结构的重复模式的改变灵敏地改变的变量，通过测量其值，以高精确度来检查处理之前与处理之后样品的结构改变。
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