公开(公告)号：CN109755153A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810987117.1

申请日：2018-08-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 梁裕信 ,  柳成润 ,  李衒 ,  朴圭焕 ,  李相吉

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的装置。用于制造半导体器件的装置可以包括：质量流量控制器，该质量流量控制器被配置为控制供应到工艺室的工艺气体的流率，质量流量控制器被配置为响应于校正信号而调节离开质量流量控制器的工艺气体的流出流率，该校正信号基于流入质量流量控制器的工艺气体的流入流率与参考流率之间的差而产生；传感器，配置为测量工艺室内部的室压力；排气阀，配置为调节从工艺室排出的排出气体的排气速度；以及监测装置，配置为基于校正信号、室压力和排气阀的排气速度来检测质量流量控制器的缺陷。

公开(公告)号：CN109872957A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201811300458.3

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相吉 ,  梁裕信 ,  柳成润 ,  朴圭焕 ,  李衒

IPC: H01L21/67 ,  G05D7/06

Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时，获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速，以验证测量流速的满刻度误差。

公开(公告)号：CN109872957B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201811300458.3

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相吉 ,  梁裕信 ,  柳成润 ,  朴圭焕 ,  李衒

IPC: H01L21/67 ,  G05D7/06

Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时，获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速，以验证测量流速的满刻度误差。