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公开(公告)号:CN109872957A
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201811300458.3
申请日:2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时,获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后,获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速,以验证测量流速的满刻度误差。
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公开(公告)号:CN116012280A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202210873977.9
申请日:2022-07-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种用于处理图像传感器的光谱数据的方法和设备。该方法包括:获得与光的光谱数据的通道相对应的光谱响应信号,该光谱数据由图像传感器从对象获得;确定与获得的光谱响应信号相对应的一组基;基于所确定的一组基,对包括在所确定的一组基中的至少一个基执行基变换;以及通过使用伪逆,从已经执行了基变换的光谱响应信号生成重构的光谱数据。
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公开(公告)号:CN109755153A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201810987117.1
申请日:2018-08-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的装置。用于制造半导体器件的装置可以包括:质量流量控制器,该质量流量控制器被配置为控制供应到工艺室的工艺气体的流率,质量流量控制器被配置为响应于校正信号而调节离开质量流量控制器的工艺气体的流出流率,该校正信号基于流入质量流量控制器的工艺气体的流入流率与参考流率之间的差而产生;传感器,配置为测量工艺室内部的室压力;排气阀,配置为调节从工艺室排出的排出气体的排气速度;以及监测装置,配置为基于校正信号、室压力和排气阀的排气速度来检测质量流量控制器的缺陷。
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公开(公告)号:CN109872957B
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN201811300458.3
申请日:2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时,获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后,获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速,以验证测量流速的满刻度误差。
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公开(公告)号:CN117705280A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202310620048.1
申请日:2023-05-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种光谱相机和包括该光谱相机的电子装置。光谱相机包括:图像传感器,包括被配置为检测多个中心波长的多个通道;光学模块,被配置为能够相对于图像传感器移动,以在图像传感器上提供对象的图像;存储器,被配置为存储与图像传感器中的多个通道中的每个通道的光学特性的变化相关的第一信息,该多个通道中的每个通道的光学特性的变化对应于光学模块的移动;以及处理器,被配置为:从存储器获得第一信息,获得与由图像传感器检测到的多个中心波长相对应的第二信息,以及通过基于第一信息校正第二信息来获得第三信息。
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