公开(公告)号：CN109884342A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201811311158.5

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴德满 ,  柳成润 ,  孙荣薰 ,  全忠森 ,  池仑庭

IPC: G01Q30/00

Abstract: 提供一种扫描探针检查器，所述扫描探针检查器包括：探针，包括悬臂和尖部，尖部的长度对应于在晶圆中形成的沟槽的深度；沟槽检测器，使用探针获取沟槽的位置信息，其中，位置信息包括沟槽的深度信息；控制器，基于沟槽的位置信息将尖部插入存在沟槽的第一点中，并使用沟槽的位置信息使尖部移动穿过沟槽；以及缺陷检测器，当尖部移动穿过沟槽时，检测沟槽的侧壁中的缺陷的存在。

公开(公告)号：CN102608072A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110461361.2

申请日：2011-12-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 权俊亨 ,  尹斗燮 ,  卢禧烈 ,  金秀铉 ,  柳成润 ,  权元植 ,  李侠

IPC: G01N21/49 ,  G01N21/15

CPC classification number: G01N15/06 ,  G01N21/21 ,  G01N21/53 ,  G01N21/64 ,  G01N2015/035 ,  G01N2015/0693

Abstract: 本发明公开了一种微粒检测设备。微粒检测设备包括：发光的光学元件；会聚光学系统，沿从光学元件发射的光的前进方向设置，以会聚光；微粒路径，沿已经经过会聚光学系统的光的前进方向定位，以使微粒路径与光交叉；光束阻挡单元，阻挡已经经过微粒路径的直接光；会聚透镜，设置在光束阻挡单元的后方；检测器，设置在会聚透镜的后方，以检测被微粒散射的光。由光学元件和会聚光学系统形成的光的焦点可位于微粒路径的后方。照射到微粒的光的焦点可以与微粒的引入位置不同。

公开(公告)号：CN109755153A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810987117.1

申请日：2018-08-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 梁裕信 ,  柳成润 ,  李衒 ,  朴圭焕 ,  李相吉

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的装置。用于制造半导体器件的装置可以包括：质量流量控制器，该质量流量控制器被配置为控制供应到工艺室的工艺气体的流率，质量流量控制器被配置为响应于校正信号而调节离开质量流量控制器的工艺气体的流出流率，该校正信号基于流入质量流量控制器的工艺气体的流入流率与参考流率之间的差而产生；传感器，配置为测量工艺室内部的室压力；排气阀，配置为调节从工艺室排出的排出气体的排气速度；以及监测装置，配置为基于校正信号、室压力和排气阀的排气速度来检测质量流量控制器的缺陷。

公开(公告)号：CN109671636A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811100269.1

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成实 ,  柳成润 ,  孙荣薰 ,  全忠森

IPC: H01L21/66

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片来生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。

公开(公告)号：CN102608084A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110458123.6

申请日：2011-12-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 权俊亨 ,  卢禧烈 ,  尹斗燮 ,  金秀铉 ,  权元植 ,  柳成润 ,  李侠

IPC: G01N21/64

CPC classification number: G01N21/6486 ,  G01N2021/6469

Abstract: 本发明公开了一种微生物检测设备，该微生物检测设备包括：光源单元，用于照射光；镜室，包括光入口端和光出口端、微粒入口端和微粒出口端、开口，通过光入口端引入光，通过光出口端释放光，通过微粒入口端引入微粒，通过微粒出口端释放微粒，使得通过所述光产生从微粒发射的光(发射的微粒光)，发射的微粒光通过开口被释放到外部，镜室具有椭圆形的纵向截面，在镜室的内部设置有反射镜；会聚光学系统，设置在开口前，位于开口的外部，以使通过开口释放的所述发射的微粒光会聚。使荧光会聚光学系统的会聚效率最大化。

公开(公告)号：CN117055235A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310356857.6

申请日：2023-04-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 崔成一 ,  金亨俊 ,  任种九 ,  金京范 ,  柳成润 ,  朴美罗 ,  李精汉 ,  李政熙

IPC: G02B27/09

Abstract: 提供了一种可以轻松且准确地执行光纤的卷绕任务的光源均匀度调节装置。光源均匀度调节装置包括：基板，包括位于其中的多个孔；在基板的一侧上的第一固定部分，用于固定光纤的第一部分；设置在基板的另一侧上的第二固定部分，用于固定光纤的第二部分；以及插入多个孔中的至少一个孔内的柱状部分，该柱状部分在基板上路由光纤，使得光纤在第一部分和第二部分之间具有至少一个弯曲形状。

公开(公告)号：CN109884342B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201811311158.5

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴德满 ,  柳成润 ,  孙荣薰 ,  全忠森 ,  池仑庭

IPC: G01Q30/00

Abstract: 提供一种扫描探针检查器，所述扫描探针检查器包括：探针，包括悬臂和尖部，尖部的长度对应于在晶圆中形成的沟槽的深度；沟槽检测器，使用探针获取沟槽的位置信息，其中，位置信息包括沟槽的深度信息；控制器，基于沟槽的位置信息将尖部插入存在沟槽的第一点中，并使用沟槽的位置信息使尖部移动穿过沟槽；以及缺陷检测器，当尖部移动穿过沟槽时，检测沟槽的侧壁中的缺陷的存在。

公开(公告)号：CN107782742B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201710606610.X

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成润 ,  全忠森 ,  梁裕信 ,  池仑庭 ,  宋吉宇

IPC: G01N21/95

Abstract: 提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括：制备基板；通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率；朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像；基于第一特定波长图像，产生第一光谱数据；基于第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。

公开(公告)号：CN109872957A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201811300458.3

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相吉 ,  梁裕信 ,  柳成润 ,  朴圭焕 ,  李衒

IPC: H01L21/67 ,  G05D7/06

Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时，获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速，以验证测量流速的满刻度误差。

公开(公告)号：CN109872957B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201811300458.3

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相吉 ,  梁裕信 ,  柳成润 ,  朴圭焕 ,  李衒

IPC: H01L21/67 ,  G05D7/06

Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时，获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速，以验证测量流速的满刻度误差。