检查表面的方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN107782742B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN201710606610.X

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括:制备基板;通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率;朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像;基于第一特定波长图像,产生第一光谱数据;基于第一特定波长图像,产生各个像素的第一光谱数据;以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱;以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。

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