公开(公告)号：CN114450778A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080068610.9

申请日：2020-09-16

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  统一半导体

Inventor： 桑原登 ,  凯文·奎因奎特 ,  飞利浦·格斯塔多

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明提供一种晶圆的第二薄膜的膜厚分布的测量方法，该晶圆具有基板、该基板表面上的第一薄膜、以及该第一薄膜上的第二薄膜，在该测量方法中，通过光学显微镜进行对焦而求出焦点的高度Z1，该光学显微镜具有使用了波长λ0的照射光的自动对焦功能，确定用于获得第二薄膜的观察图像的照射光的波长λ1，一边以Z1为基准而使焦点的高度变化，一边使用波长λ1的照射光获得第二薄膜的观察图像，计算观察图像内的反射光强度分布的标准偏差，获得与标准偏差为最大的峰值位置的焦点对应的高度Z2，并计算Z1与Z2的差ΔZ，以ΔZ为修正值进行自动对焦功能的修正，使用经过修正的自动对焦功能进行对焦，获得第二薄膜的观察图像，根据观察图像内的反射光强度分布计算膜厚分布。由此，提供一种能够高精度且稳定地进行膜厚分布的测量的方法。

公开(公告)号：CN108140553B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201680059158.3

申请日：2016-08-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 橫川功

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种贴合式晶圆的制造方法，通过离子注入法制作于基底晶圆上具有BOX层及SOI层的贴合式SOI晶圆，透过在含有氩气的氛围下进行平坦化热处理后，进行调整SOI层的膜厚度的牺牲氧化处理，其中，使通过剥离所制作的贴合式SOI晶圆中BOX层的膜厚度为500nm以上，形成氧化膜，以使施加牺牲氧化处理的SOI层的膜厚度(t)与牺牲氧化处理中所形成的牺牲氧化膜的膜厚度(d)之间的关系，满足0.9d＞t＞0.45d。由此能够预先防范于SOI晶圆的制造中，自由于平坦化热处理而呈悬垂状而残留的SOI层的最外周部的颗粒的发生。

公开(公告)号：CN114174569A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080046408.6

申请日：2020-06-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  井川静男 ,  砂川健

IPC: C30B31/06 ,  C30B29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。

公开(公告)号：CN111511504B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880082498.7

申请日：2018-11-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 北川幸司 ,  丰田史朗

IPC: B24B55/02 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  B28D7/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种工件切断方法，其通过线锯进行，通过将表面固着有磨粒的固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，通过一边使所述固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件向所述金属线列切入进给，从而将所述工件在轴向排列的多个位置同时切断，其特征在于，在通过所述固定磨粒金属线进行工件切断过程中，将工件切断用冷却剂供给至所述金属线列上，当切断所述工件后从所述金属线列拉出所述工件时，将工件拉出用冷却剂供给至所述金属线列上，其中，所述工件拉出用冷却剂与所述工件切断用冷却剂不同且与所述工件切断用冷却剂相比黏度更高。由此，提供一种工件切断方法及线锯，其在从金属线列拉出切断后的工件时，抑制金属线卡住工件而产生锯痕或发生金属线断线的情况。

公开(公告)号：CN111868310B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201980018916.0

申请日：2019-02-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高桥亨 ,  池田均 ,  松本雄一 ,  青山徹郎

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器的上部的中心配置晶种基板，于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心与孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基面的法线矢量的与主面平行的分量的方向同孔的偏心方向为同一方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了晶圆中央部的结晶性的劣化的碳化硅单晶的制造方法。

公开(公告)号：CN113710421A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080026959.6

申请日：2020-02-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12 ,  B24B37/14 ,  B24B53/017 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种双面研磨方法，将晶圆配置于下平台的上表面所贴附的研磨垫、与在所述下平台的上方设置的上平台的下表面所贴附的研磨垫之间，研磨该晶圆的双面，其特征在于，在将上述两个研磨垫间的内周部的空隙与外周部的空隙之差的绝对值作为垫空隙的情况下，将实施所述晶圆的双面的研磨时的所述垫空隙设置为比实施上述两个研磨垫的修整时的所述垫空隙更大。由此，提供一种同时实现了品质等级(加工精度)的提高和布寿命的延长的双面研磨方法。

公开(公告)号：CN113692651A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202080026889.4

申请日：2020-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  古屋翔吾 ,  秋山智弘

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0735 ,  H01L21/02 ,  H01L27/142

Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。

公开(公告)号：CN113519040A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018057.8

申请日：2020-01-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久米史高 ,  铃木由佳里 ,  北村浩一 ,  吉田昌弘 ,  横田修二 ,  江原幸治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明为一种单晶硅的电阻率测定方法，其中，在以四探针法测定单晶硅的电阻率的单晶硅的电阻率测定方法中，具有：至少对所述单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第一磨削工序，对实施了所述第一磨削工序的单晶硅进行清洗的清洗工序，对实施了所述清洗工序的单晶硅进行热处理的供体消除热处理工序，及至少对实施了所述供体消除热处理工序的单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第二磨削工序，并在实施所述第二磨削工序之后，以四探针法测定所述单晶硅的电阻率。由此，可提供一种能够在供体消除热处理之后长期稳定地进行测定的单晶硅的电阻率测定方法。

公开(公告)号：CN109015115B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201810514993.2

申请日：2018-05-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 渡边笃史 ,  横川克也 ,  栗本宏高

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。该研磨方法以支承板而支承被研磨物，将支承被研磨物的支承板予以装备至研磨头，研磨头配置于研磨装置，通过研磨头将被支承板所支承的被研磨物以指定的压力而推压至贴附于研磨台的研磨布，并使相对运动而借以研磨被研磨物的表面，其中在以支承板而支承该被研磨物之前，先测量支承板的支承被研磨物的支承面的形状，依测量完成的支承面的形状，调整由研磨头对于支承板的推压分布，再研磨被研磨物。

公开(公告)号：CN111615741A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201980008674.7

申请日：2019-03-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大关正彬 ,  五十岚健作 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明为一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。由此，提供一种即使减少研磨步骤也能抑制表面缺陷的增加并且改善平坦度的硅晶圆的制造方法。