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公开(公告)号：CN107112389B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580069819.6
申请日：2015-12-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L33/30 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。
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公开(公告)号：CN113692651A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202080026889.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L21/02 , H01L27/142
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN107851699B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680042450.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层上形成第一欧姆电极；于部分形成露出第二半导体层、缓冲层或窗层兼支承基板的除去部而设置段差；于除去部形成第二欧姆电极；分离形成有第一及第二欧姆电极的发光组件而制作发光组件芯片，以及于安装基板覆晶安装发光组件芯片，使发光组件芯片的形成第一及第二欧姆电极侧为安装基板侧。
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公开(公告)号：CN119366281A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046083.5
申请日：2023-06-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H10F30/20 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种受光元件的制造方法，其能够只对析出在晶圆表面的磷析出物进行选择性蚀刻。本发明的受光元件的制造方法，其使用外延晶圆，该外延晶圆是使InP缓冲层、InGaAs光吸收层、InP盖层生长在InP基板上而成，并且，该制造方法包括：在InP盖层上形成InGaAs接触层的工序；通过光刻法将InGaAs接触层的一部分去除而形成InGaAs接触部的工序；以将InP盖层及InGaAs接触部包覆的方式形成保护膜的工序；在保护膜的一部分形成开口图案部的工序；在含磷气体环境中使杂质扩散至开口图案部的工序；使用强碱性水溶液，将在所述使杂质扩散的工序中附着在表面的磷析出物选择性地去除的工序；以及于InGaAs接触部及InP基板背面形成电极的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113692651B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080026889.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L21/02 , H01L27/142
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN107112389A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069819.6
申请日：2015-12-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L33/30 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。
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公开(公告)号：CN107078187A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056613.X
申请日：2015-10-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供一种发光组件以及发光组件的制造方法，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含有第二半导体层、活性层及第一半导体层，其中发光组件具有除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层上的第一奥姆电极、及设置于除去部的窗层兼支持基板上的第二奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的外周部除外的表面以及窗层兼支持基板的表面为经粗糙化，且发光部侧面的Rz为未满2μm。因此使漏电不良或ESD不良的发生受到抑制。
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公开(公告)号：CN117581333A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280045817.3
申请日：2022-06-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明为一种接合型晶圆，其为外延晶圆与支撑基板通过接合材料而接合的接合型晶圆，该外延晶圆为不同热膨胀系数的材料通过外延生长层叠在生长基板上的具有异质接合结构的外延晶圆，该接合型晶圆的特征在于，所述接合材料的平均厚度为0.01μm以上且0.6μm以下。由此，提供一种在用热固化型接合材料将具有翘曲的半导体外延基板与支撑基板接合时，能够改善由半导体外延基板的翘曲和随着热变化而发生变化的翘曲引起的接合材料的膜厚分布的接合型晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110534625B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910880386.2
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
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