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公开(公告)号：CN111542651B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201880083603.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测定用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于生长容器下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基底面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心及孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基底面的法线矢量的与主面平行的分量的方向与孔的偏心方向为反方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了贯穿缺陷的碳化硅单晶的制造方法。
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公开(公告)号：CN112313369A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980040591.6
申请日：2019-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明的碳化硅单晶生长装置具备：生长容器，其由粘接有晶种基板的生长容器盖体和收纳晶种基板及碳化硅原料的生长容器主体构成；隔热容器，其包围生长容器；温度测量器，其通过设置于隔热容器的温度测量用孔，以测量生长容器内的温度；以及加热器，其加热碳化硅原料，通过升华法使碳化硅原料加热而升华，使碳化硅单晶在晶种基板上生长，其特征在于，生长容器盖体仅在生长容器盖体的晶种基板的粘接区域内形成有贯穿生长容器盖体的图案。由此，提供能够抑制贯穿螺型位错、基面位错及贯穿刃型位错的产生的碳化硅单晶生长装置及制造方法。
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公开(公告)号：CN111542651A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880083603.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测定用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于生长容器下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基底面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心及孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基底面的法线矢量的与主面平行的分量的方向与孔的偏心方向为反方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了贯穿缺陷的碳化硅单晶的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111868311A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980019480.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其中，使碳化硅原材料于生长容器内升华，从而使碳化硅单晶在晶种基板上生长，所述制造方法的特征在于，作为所述晶种基板，使用设置于所述生长容器的面为偏移角1°以下的{0001}面、且晶体生长面为凸形状的生长晶锭端面的基板，并将所述晶种基板的直径设为所述生长容器的内径的80％以上。由此，提供一种碳化硅单晶的制造方法，该制造方法能够制造即使进行没有偏移角的生长、即在自C轴＜0001＞没有倾斜的基面上的生长方向上，也不易产生不同的多型，且直体率高的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN111868310A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980018916.0
申请日：2019-02-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器的上部的中心配置晶种基板，于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心与孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基面的法线矢量的与主面平行的分量的方向同孔的偏心方向为同一方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了晶圆中央部的结晶性的劣化的碳化硅单晶的制造方法。
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公开(公告)号：CN112313369B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201980040591.6
申请日：2019-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明的碳化硅单晶生长装置具备：生长容器，其由粘接有晶种基板的生长容器盖体和收纳晶种基板及碳化硅原料的生长容器主体构成；隔热容器，其包围生长容器；温度测量器，其通过设置于隔热容器的温度测量用孔，以测量生长容器内的温度；以及加热器，其加热碳化硅原料，通过升华法使碳化硅原料加热而升华，使碳化硅单晶在晶种基板上生长，其特征在于，生长容器盖体仅在生长容器盖体的晶种基板的粘接区域内形成有贯穿生长容器盖体的图案。由此，提供能够抑制贯穿螺型位错、基面位错及贯穿刃型位错的产生的碳化硅单晶生长装置及制造方法。
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公开(公告)号：CN111868310B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201980018916.0
申请日：2019-02-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器的上部的中心配置晶种基板，于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心与孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基面的法线矢量的与主面平行的分量的方向同孔的偏心方向为同一方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了晶圆中央部的结晶性的劣化的碳化硅单晶的制造方法。
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公开(公告)号：CN111819311A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017792.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合，并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料，进行热处理并烧结，在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜后使碳化硅单晶生长、或一边在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜一边使碳化硅单晶生长。由此提供一种减少了碳内含物的碳化硅单晶的制造方法。
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