公开(公告)号：CN101589479A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880002856.5

申请日：2008-01-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02052

Abstract: 在具有发光层部24的由III-V族化合物半导体所构成的主化合物半导体层50一方的主表面，具有将透明导电性半导体基板70直接贴合的构造，且将主化合物半导体层50与透明导电性半导体基板70的贴合界面的碱金属原子浓度调整在大于或等于1×10 14 atoms/cm 2 、小于或等于2×10 15 atoms/cm 2 的范围。由此，提供一种可充分降低发光层部与透明导电性半导体基板界面电阻的发光元件。

公开(公告)号：CN101454908A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019441.4

申请日：2007-05-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳 ,  石崎顺也 ,  池田俊一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02576 ,  H01L24/05 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III－V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)之一侧，形成与另一侧之贴合面，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。

公开(公告)号：CN113519040A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018057.8

申请日：2020-01-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久米史高 ,  铃木由佳里 ,  北村浩一 ,  吉田昌弘 ,  横田修二 ,  江原幸治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明为一种单晶硅的电阻率测定方法，其中，在以四探针法测定单晶硅的电阻率的单晶硅的电阻率测定方法中，具有：至少对所述单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第一磨削工序，对实施了所述第一磨削工序的单晶硅进行清洗的清洗工序，对实施了所述清洗工序的单晶硅进行热处理的供体消除热处理工序，及至少对实施了所述供体消除热处理工序的单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第二磨削工序，并在实施所述第二磨削工序之后，以四探针法测定所述单晶硅的电阻率。由此，可提供一种能够在供体消除热处理之后长期稳定地进行测定的单晶硅的电阻率测定方法。

公开(公告)号：CN101454908B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200780019441.4

申请日：2007-05-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳 ,  石崎顺也 ,  池田俊一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02576 ,  H01L24/05 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III-V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)中至少一个上形成贴合面，使得两者贴合，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。

公开(公告)号：CN101589479B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880002856.5

申请日：2008-01-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02052

Abstract: 在具有发光层部24的由III-V族化合物半导体所构成的主化合物半导体层50一方的主表面，具有将透明导电性半导体基板70直接贴合的构造，且将主化合物半导体层50与透明导电性半导体基板70的贴合界面的碱金属原子浓度调整在大于或等于1×1014atoms/cm2、小于或等于2×1015atoms/cm2的范围。由此，提供一种可充分降低发光层部与透明导电性半导体基板界面电阻的发光元件。

公开(公告)号：CN1229876C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN01141187.2

申请日：2001-09-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樋口晋 ,  铃木由佳里 ,  川崎真 ,  相原健

IPC: H01L33/00

Abstract: 让GaP磊晶晶圆之第一主表面侧接触于Ga溶液，对于与该Ga溶液相接之周围环境气氛供给作为氮源之NH3气体，以进行N掺杂之GaP层的液相磊晶生长。接着，于该制程中使得Ga溶液之周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。