公开(公告)号：CN101454908A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019441.4

申请日：2007-05-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳 ,  石崎顺也 ,  池田俊一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02576 ,  H01L24/05 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III－V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)之一侧，形成与另一侧之贴合面，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。

公开(公告)号：CN101454908B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200780019441.4

申请日：2007-05-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳 ,  石崎顺也 ,  池田俊一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02576 ,  H01L24/05 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III-V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)中至少一个上形成贴合面，使得两者贴合，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。