公开(公告)号：CN1229876C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN01141187.2

申请日：2001-09-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樋口晋 ,  铃木由佳里 ,  川崎真 ,  相原健

IPC: H01L33/00

Abstract: 让GaP磊晶晶圆之第一主表面侧接触于Ga溶液，对于与该Ga溶液相接之周围环境气氛供给作为氮源之NH3气体，以进行N掺杂之GaP层的液相磊晶生长。接着，于该制程中使得Ga溶液之周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。

公开(公告)号：CN1345096A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN01141187.2

申请日：2001-09-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樋口晋 ,  鈴木由佳里 ,  川崎真 ,  相原健

IPC: H01L33/00

Abstract: 让GaP磊晶晶圆之第一主表面侧接触于Ga溶液,对于与该Ga溶液相接之周围环境气氛供给作为氮源之NH3气体,以进行N掺杂之GaP层的液相磊晶生长。接着,于该制程中使得Ga溶液之周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。