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公开(公告)号：CN112219259B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN201980035288.7
申请日：2019-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , P·曼纳 , A·B·玛里克 , S·冈迪科塔
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/3115 , H01L21/265 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 本公开的实施例通常关于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施例中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括：在基板上形成的膜堆叠上方沉积碳硬模，其中基板被定位在处理腔室中设置的静电夹盘上；将离子植入碳硬模，其中沉积碳硬模和将离子植入碳硬模在相同处理腔室中执行；以及以循环方式重复沉积碳硬模和将离子植入碳硬模，直至达到预定厚度的碳硬模。
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公开(公告)号：CN112640086B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN201980057396.4
申请日：2019-10-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3205
Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及沉积薄膜的方法，并且更具体地，涉及沉积金属薄膜。本文的方法提供了无成核转化(nucleation free conversion；NFC)方法，此方法涉及在介电层之上形成非晶硅层，并执行NFC工艺，所述NFC工艺用于将非晶硅层转化成金属薄膜。在一些实施例中，多次执行NFC工艺，直到所得的薄金属膜是连续的。在薄金属膜之上形成块状金属。
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公开(公告)号：CN118231247A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410220896.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/321 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。
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公开(公告)号：CN111566786B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201880084984.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417022B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201780040172.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/324 , H10B41/20
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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公开(公告)号：CN108140562B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201680060335.X
申请日：2016-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。
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公开(公告)号：CN113936997A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111197853.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32 , G03F7/20
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。
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公开(公告)号：CN112219259A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980035288.7
申请日：2019-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , P·曼纳 , A·B·玛里克 , S·冈迪科塔
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/3115 , H01L21/265 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 本公开的实施例通常关于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施例中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括：在基板上形成的膜堆叠上方沉积碳硬模，其中基板被定位在处理腔室中设置的静电夹盘上；将离子植入碳硬模，其中沉积碳硬模和将离子植入碳硬模在相同处理腔室中执行；以及以循环方式重复沉积碳硬模和将离子植入碳硬模，直至达到预定厚度的碳硬模。
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公开(公告)号：CN110945642A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880037482.4
申请日：2018-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 描述了用于以无缝钨填充物来填充基板特征的方法。所述方法包括沉积钨膜、将钨膜氧化成氧化钨柱、将氧化钨膜还原成无缝钨间隙填充物，且可选地在钨间隙填充物上沉积额外的钨。
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