公开(公告)号：CN115954255B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202310064701.0

申请日：2018-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46 ,  C23C16/503 ,  C23C16/26 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01Q9/40

Abstract: 等离子体反应器包括腔室主体、气体分配口、工件支撑件、天线阵列、和AC功率源，腔室主体具有提供等离子体腔室的内部空间，气体分配口用于将处理气体输送到等离子体腔室，工件支撑件用于保持工件，天线阵列包括部分延伸到等离子体腔室中的多个单极天线，AC功率源用于将第一AC功率供应到多个单极天线。

公开(公告)号：CN113835299B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202111180980.4

申请日：2016-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·巴巴扬 ,  D·A·小布齐伯格 ,  梁奇伟 ,  L·戈代 ,  S·D·耐马尼 ,  D·J·伍德洛夫 ,  R·哈里斯 ,  R·B·摩尔

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。

公开(公告)号：CN112640074B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201980054661.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿迪卜·汗 ,  梁奇伟 ,  苏坦·马立克 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  拉菲卡·斯马蒂 ,  约瑟夫·恩济 ,  约翰·奥海尔

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及气体减弱设备和流出物管理。这里描述的设备包括高压处理腔室和围绕处理腔室的容纳腔室。高压流体输送模块与高压处理腔室流体连通，且高压流体输送模块经构造以将高压流体输送到处理腔室。流出物管理模块包括用于降低流出物压力的消音器组件和用于处理流出物的多个洗涤器。

公开(公告)号：CN116936405A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310755012.4

申请日：2018-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  阿迪卜·汗 ,  文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 ,  苏坦·马立克 ,  肖恩·S·康 ,  基思·塔特森·王

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  H01L21/687 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324

Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。

公开(公告)号：CN110710056B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201880034861.8

申请日：2018-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01Q9/40 ,  H01L21/3065

Abstract: 等离子体反应器包括腔室主体、气体分配口、工件支撑件、天线阵列、和AC功率源，腔室主体具有提供等离子体腔室的内部空间，气体分配口用于将处理气体输送到等离子体腔室，工件支撑件用于保持工件，天线阵列包括部分延伸到等离子体腔室中的多个单极天线，AC功率源用于将第一AC功率供应到多个单极天线。

公开(公告)号：CN111066120A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880057395.5

申请日：2018-08-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  周杰 ,  阿迪卜·M·汗 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  陈冠南 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种用于处理工件的等离子体反应器，包括腔室，具有介电窗；工件支撑件，用以在腔室中保持工件；旋转耦合器，包含配置成耦合至微波源的固定台及具有旋转轴的可旋转台；微波天线，并覆盖腔室的介电窗；旋转致动器，用以旋转微波天线；和处理气体分配器，包括环绕工件支撑件的气体分配环。微波天线包括耦合至可旋转台的至少一个导管。气体分配环包括将圆形导管从腔室分开的圆柱形腔室衬垫，及径向延伸穿过衬垫的多个孔，以将导管连接至腔室。

公开(公告)号：CN106814556A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611076231.6

申请日：2016-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·巴巴扬 ,  D·A·小布齐伯格 ,  梁奇伟 ,  L·戈代 ,  S·D·耐马尼 ,  D·J·伍德洛夫 ,  R·哈里斯 ,  R·B·摩尔

IPC: G03F7/40

CPC classification number: G03F7/2035 ,  G03F7/168 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  H01L21/68764 ,  G03F7/40

Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。

公开(公告)号：CN106463362A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025098.9

申请日：2015-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·可罕 ,  S·文卡特拉曼 ,  J·D·平森三世 ,  J-G·杨 ,  N·K·英格尔 ,  梁奇伟

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。