公开(公告)号：CN107208262B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201580063083.1

申请日：2015-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘凤全 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 描述了选择性地沉积金属在金属表面上相对于在介电表面上的方法。方法包括将金属氧化物表面还原成金属表面且保护介电表面以将介电表面上的沉积予以最小化及暴露基板于金属前驱物和醇类以沉积膜。

公开(公告)号：CN109791913A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059692.9

申请日：2017-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  本杰明·施密格 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  段子晴

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述多种处理方法，所述方法包括：透过掩模选择性正交地生长第一材料，而提供扩展的第一材料。可移除该掩模，而留下从该第一材料的表面正交延伸的该扩展的第一材料。进一步的处理可产生自对准通孔。

公开(公告)号：CN105019019B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201510212599.X

申请日：2015-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  杰西卡·塞万尼·卡钦安 ,  马克·莎莉 ,  马蒂亚斯·鲍尔 ,  布赖恩·安德伍德 ,  舒伯特·楚

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了在相对于电介质表面的基板表面上选择性地形成外延膜的方法。预处理所述基板表面以形成差异化的靶表面封端，所述差异化的靶表面封端可进一步反应以产生一个或更多个保护基。所述保护基抑制随后的所述外延膜在所述受保护表面上的生长。

公开(公告)号：CN104718314B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201380054227.8

申请日：2013-10-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  吕新亮 ,  唐薇 ,  周静 ,  赛沙德利·甘古利 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  阿蒂夫·努里 ,  法鲁克·京格尔 ,  吴典晔 ,  张镁 ,  陈世忠

IPC: C23C30/00 ,  C23C26/00

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534

Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。

公开(公告)号：CN108140555A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060858.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 拉克马尔·卡鲁塔格 ,  马克·沙丽 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348

Abstract: 提供了沉积包含SiO或SiN的可流动薄膜的方法。某些方法包含：将基板表面暴露于硅氧烷或硅氮烷前驱物；将基板表面暴露于等离子体活化的共反应物以提供SiON中间薄膜；紫外线固化SiON中间薄膜以提供固化的中间薄膜；和退火固化的中间薄膜以提供包含SiO或SiN的薄膜。

公开(公告)号：CN107829075A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711049354.5

申请日：2013-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 傅新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  阿蒂夫·努里 ,  张镁 ,  戴维·汤普森 ,  史蒂夫·G·加奈耶姆

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/345 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。

公开(公告)号：CN103946957A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280054152.9

申请日：2012-11-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 欣亮·卢 ,  戴维·汤普森 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  梅·张 ,  赛沙德利·甘古利 ,  唐伟 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  阿蒂夫·努里

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供沉积纯金属和铝合金金属薄膜的方法。某些方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触，该第一前驱物包含铝前驱物，该铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由式(I)或(II)表示的结构的化合物，其中R为C1-C6烷基，而该第二前驱物包含金属卤化物。其他的方法涉及使基板按顺序地曝露于第一前驱物和第二前驱物，该第一前驱物包含如上所述的铝前驱物，而该第二前驱物包含Ti(NR'2)4或Ta(NR'2)5，其中R'为烷基、烯基、炔基、酮基或醛基。