公开(公告)号：CN111630650A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980009926.8

申请日：2019-02-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘树坤 ,  叶祉渊 ,  朱作明 ,  尼欧·谬 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  舒伯特·楚

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文描述的实施方式提供处理腔室，该处理腔室包含：用于处理容积的外壳；外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴，其中该轴具有位于处理容积外部的信号特征；外壳内的能量模块，其中该轴延伸通过该能量模块、耦合到外壳的一个或多个定向能量源；及邻近该信号特征定位的一个或多个信号器，每个信号器耦合到定向能量源中的至少一个。

公开(公告)号：CN105019019A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510212599.X

申请日：2015-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  杰西卡·塞万尼·卡钦安 ,  马克·莎莉 ,  马蒂亚斯·鲍尔 ,  布赖恩·安德伍德 ,  舒伯特·楚

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了在相对于电介质表面的基板表面上选择性地形成外延膜的方法。预处理所述基板表面以形成差异化的靶表面封端，所述差异化的靶表面封端可进一步反应以产生一个或更多个保护基。所述保护基抑制随后的所述外延膜在所述受保护表面上的生长。

公开(公告)号：CN111630650B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201980009926.8

申请日：2019-02-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘树坤 ,  叶祉渊 ,  朱作明 ,  尼欧·谬 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  舒伯特·楚

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文描述的实施方式提供处理腔室，该处理腔室包含：用于处理容积的外壳；外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴，其中该轴具有位于处理容积外部的信号特征；外壳内的能量模块，其中该轴延伸通过该能量模块、耦合到外壳的一个或多个定向能量源；及邻近该信号特征定位的一个或多个信号器，每个信号器耦合到定向能量源中的至少一个。

公开(公告)号：CN115885377A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180051085.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈辉 ,  栾欣宁 ,  柯克·艾伦·费希尔 ,  肖恩·约瑟夫·博纳姆 ,  艾梅·S·埃尔哈特 ,  丛者澎 ,  陈少锋 ,  舒伯特·楚 ,  詹姆斯·M·阿莫斯 ,  菲利普·迈克尔·阿莫斯 ,  约翰·纽曼

IPC: H01L21/687

Abstract: 一种在处理腔室中使用以用于支撑晶片的基座，包括基座基板，该基座基板具有前侧及与前侧相对的背侧，及沉积于基座基板上的涂层。前侧具有被配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中的口袋，该口袋以第一图案纹理化。该背侧以第二图案纹理化。

公开(公告)号：CN105019019B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201510212599.X

申请日：2015-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  杰西卡·塞万尼·卡钦安 ,  马克·莎莉 ,  马蒂亚斯·鲍尔 ,  布赖恩·安德伍德 ,  舒伯特·楚

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了在相对于电介质表面的基板表面上选择性地形成外延膜的方法。预处理所述基板表面以形成差异化的靶表面封端，所述差异化的靶表面封端可进一步反应以产生一个或更多个保护基。所述保护基抑制随后的所述外延膜在所述受保护表面上的生长。