碳化硅涂布的基底基板、其碳化硅基板及其方法

    公开(公告)号:CN116195029A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202180056065.6

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及碳化硅涂布的基底基板、其碳化硅基板、以及形成碳化硅涂布的基底基板的方法。在一些实施方式中,一种方法包括在约800℃至小于1000℃的第一温度将第一含硅前驱物引入处理腔室,以在基底基板上形成第一碳化硅层。该方法包括在约1000℃至约1400℃的第二温度将与第一含硅前驱物相同或不同的第二含硅前驱物引入处理腔室,以在第一碳化硅层上形成第二碳化硅层。

    原位膜生长传感器组件、设备及方法

    公开(公告)号:CN117043545A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202280016431.X

    申请日:2022-05-16

    Abstract: 本文所公开的实施方式总体涉及处理腔室中膜生长的原位监测。在一些实例中,用于处理腔室的传感器组件包括传感器管及传感器窗,此传感器管包括碳化硅且在具有在此传感器管中的光学路径,且此传感器窗包括结晶碳化硅且具有耦接到此传感器管的远端的近侧。此传感器窗覆盖此光学路径,且此传感器窗背对此近侧的远侧垂直于此光学路径的中心轴。

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