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公开(公告)号：CN118241304A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410373540.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于重掺压力控制的装置及控制方法，属于拉晶电气控制技术领域，一方面，不再通过APC阀进行控制，而是通过对主泵的频率进行控制，进而控制压力，能够得到更高上限的压力控制，并且压力控制稳定，另一方面，通过稳定的压力控制使得炉体内氧化物能够及时被抽走，减少了对单晶生长的不利影响，对于低阻产品得不断开发有了更显著的助力。
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公开(公告)号：CN118207629A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410538090.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供半导体级专用姆合金制备方法，涉及半导体级姆合金硅制备的技术领域，通过使用使用高纯热场拉制电阻面内分布均匀晶棒，再将晶棒切割成预定厚度的样片，将样片进行倒角、研磨、腐蚀、ML贴附、ML研磨、ＭＬ电阻測定、外观检查，得到姆合金；以在高纯热场下拉制晶棒使得晶棒内的金属含量低，然后控制样片厚度，对样品进行后续处理，降低杂质含量，使得制成的姆合金纯度高，进而姆合金拉制的产品的体金属稳定，电阻分布均匀，不同批次的电阻率均匀，电阻打靶的准确率提高。
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公开(公告)号：CN116804289A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310771018.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法，涉及重掺器件正向压降控制方法技术领域，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时均能够达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量，进而氧与空位结合的概率降低，不易形成体微缺陷，且使得氧含量径向分布均匀，进而降低器件端正向压降VF异常的概率。
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公开(公告)号：CN113638040B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110923750.6
申请日：2021-08-12
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，属于硅单晶生产技术领域。通过统计分析，找到重掺砷硅单晶晶棒出现电阻率反翘率峰值处所对应的等径长度及该处影响电阻率反翘的特征因子，通过调整该特征因子，降低电阻率反翘率。例如，通过降低坩埚转速和/或提高单晶炉炉压，能够有效抑制重掺砷硅单晶晶棒电阻率反翘，提高产品合格率，减少浪费。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113638040A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110923750.6
申请日：2021-08-12
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，属于硅单晶生产技术领域。通过统计分析，找到重掺砷硅单晶晶棒出现电阻率反翘率峰值处所对应的等径长度及该处影响电阻率反翘的特征因子，通过调整该特征因子，降低电阻率反翘率。例如，通过降低坩埚转速和/或提高单晶炉炉压，能够有效抑制重掺砷硅单晶晶棒电阻率反翘，提高产品合格率，减少浪费。
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公开(公告)号：CN119956470A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510227198.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的改善重掺锑漩涡缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，属于单晶硅拉晶技术领域，包括以下步骤，首先在单晶炉中设置预定热场结构，使所述预定热场在晶体生长界面形成梯度温度场，以逐渐增大晶体生长界面的温度梯度，促使点缺陷在晶体生长过程中可以多次的向外扩散，从而减少点缺陷的聚集避免生成漩涡缺陷；然后从引晶工序至转肩工序结束，使用预定埚转同时以第一预定拉速拉制晶棒，其中液口距恒定，以使晶体生长界面形成过冷度保证单晶的生长动力；接着从转肩工序至等径工序结束，使用第二预定拉速拉制晶棒，以减小晶体生长界面的波动，使得热量沿着晶棒的径向方向均匀的传导，进一步减少漩涡缺陷的生成，以提高重掺锑单晶晶棒的品质。
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公开(公告)号：CN118461131B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410498681.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于拉制氧含量面内分布均匀的单晶衬底硅片的方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，在直拉单晶的过程中，在石英坩埚两侧施加CUSP磁场，在预定磁场强度下，CUSP磁场与石英坩埚同步上升，能够更有效地抑制熔汤的对流，增大边界扩散层厚度，在CUSP磁场的作用下，氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性得到改善，杂质的径向分均匀性也变好，使得拉制的晶棒的氧含量面内分布均匀。
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公开(公告)号：CN119663418A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411836730.5
申请日：2024-12-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种拉晶过程中降低气孔片发生率的方法、单晶晶棒及应用，涉及单晶拉晶技术领域，在装料过程中，将大尺寸硅料与小尺寸硅料以重量配比为0‑3:1‑4装填在石英坩埚中，降低硅料与硅料及硅料与石英坩埚之间的空隙，以降低气泡的产生量，使得拉晶过程中只有少量、甚至没有气泡凝固在单晶中，从而使得切片后有气孔的硅片减少，进而降低气孔片的发生率。
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公开(公告)号：CN119465380A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411655092.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种通过磁场控制小尺寸晶棒氧含量的方法，涉及单晶氧含量控制方法技术领域，在热场结构、拉晶参数相同的情况下，随着MCZ磁场强度降低，晶棒氧含量降低，MCZ磁场强度每降低500GS，晶棒氧含量降低1.5ppma~2.5ppma，以根据需求晶棒氧含量，施加不同的MCZ磁场强度，进行晶棒拉制，得到符合客户要求的氧含量晶棒。
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