公开(公告)号：CN109768061B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201811229019.8

申请日：2018-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江彦廷 ,  陈春元 ,  曾晓晖 ,  李升展 ,  王昱仁 ,  吴尉壮 ,  丁世汎 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。

公开(公告)号：CN109585466B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201810662951.3

申请日：2018-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江彦廷 ,  陈春元 ,  曾晓晖 ,  王昱仁 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧延伸至基底内部。背侧深沟槽隔离结构包括掺杂层与介电填充层，掺杂层顺着深沟槽的侧壁表面排列，介电填充层填充深沟槽的剩余空间。通过形成所公开的背侧深沟槽隔离结构，其功能是作为掺杂阱与隔离结构，简化了从基底的前侧进行的注入工艺，因此改善了曝光分辨率、光学二极管的电荷满载量及销接电压。

公开(公告)号：CN106486412B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201610769404.6

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周正贤 ,  曾晓晖 ,  赖志育 ,  周世培 ,  江彦廷 ,  蔡敏瑛

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明涉及一种方法，包括对半导体衬底实施各向异性蚀刻以形成沟槽。该沟槽具有垂直侧壁和连接至垂直侧壁的圆形的底部。实施损坏去除步骤以去除半导体衬底的表面层，表面层暴露于沟槽。蚀刻沟槽的圆形的底部以形成斜直底面。填充沟槽以形成在沟槽中的沟槽隔离区域。本发明实施例涉及深沟槽隔离及其形成方法。

公开(公告)号：CN109768061A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811229019.8

申请日：2018-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江彦廷 ,  陈春元 ,  曾晓晖 ,  李升展 ,  王昱仁 ,  吴尉壮 ,  丁世汎 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。

公开(公告)号：CN106486506A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610626795.6

申请日：2016-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志育 ,  周正贤 ,  蔡正原 ,  江彦廷 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14683

Abstract: 实例性隔离结构包括位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸的第一钝化层，其中，第一钝化层包括第一介电材料。半导体器件还包括沟槽中的位于第一钝化层上的钝化氧化物层，其中，钝化氧化物层包括第一介电材料的氧化物并且具有比第一钝化层高的氧原子百分比。半导体器件还包括沟槽中的位于钝化氧化物层上的第二钝化层，其中，第二钝化层也包括第一介电材料并且具有比钝化氧化物层低的氧原子百分比。本发明实施例涉及深沟槽隔离结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN219677260U

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202320887101.X

申请日：2023-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张胤杰 ,  江彦廷 ,  丁世汎 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H04N23/54

Abstract: 本实用新型提供一种图像传感器。图像传感器包括设置在衬底上的图像感测组件、邻近于图像感测组件设置的延伸接垫，以及设置在延伸接垫上的多晶硅柱。图像传感器还包括设置在图像感测组件、延伸接垫和多晶硅柱上方的绝缘层。本实用新型可以提高器件性能和可靠性。