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公开(公告)号：CN107204330B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710138961.2
申请日：2017-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底和堆叠的电容器。该堆叠的电容器位于半导体衬底上方。该堆叠的电容器包括下电极板、上电极板、介电层、覆盖层、第一接触通孔和第二接触通孔。下电极板位于半导体衬底上方。上电极板位于下电极板上方。介电层位于下电极板和上电极板之间。覆盖层位于上电极板上方。第一接触通孔穿过所述覆盖层、所述上电极板和所述介电层，并且电连接至所述下电极板，其中，所述第一接触通孔与所述上电极板电性隔离；以及第二接触通孔电连接至所述上电极板。
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公开(公告)号：CN110957257A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910142352.3
申请日：2019-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/683
Abstract: 本申请的各种实施例涉及一种用于形成不具有接合界面空隙和/或在层之间不具有分层的绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。在一些实施例中，第一高介电常数接合结构形成于处理衬底上方。器件层形成于牺牲衬底上方。器件层的最外侧壁处于牺牲衬底的最外侧壁之间。第二高介电常数接合结构形成于器件层上方。第一高介电常数接合结构接合到第二高介电常数接合结构，以使器件层处于牺牲衬底与处理衬底之间。执行第一移移除工艺以移除牺牲衬底。第一移除工艺包括在牺牲衬底中执行第一刻蚀直到到达器件层为止。
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公开(公告)号：CN110676151A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910588433.6
申请日：2019-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L29/04 , H01L29/06
Abstract: 本申请案的实施例涉及一种包括具有小粒度的陷阱丰富层的绝缘体上覆半导体(SOI)衬底及其形成方法。在一些实施例中，非晶硅层沉积于高电阻率衬底上。执行快速热退火RTA以使所述非晶硅层结晶为多晶硅的陷阱丰富层，其中大多数晶粒是等轴的。绝缘层形成于所述陷阱丰富层上方。装置层形成于所述绝缘层上方，且包括半导体材料。等轴晶粒小于其它晶粒(例如，柱状晶粒)。由于所述陷阱丰富层中的大多数晶粒是等轴的，所以所述陷阱丰富层具有高晶界面积及高密度的载流子陷阱。所述高密度的载流子陷阱可例如减小寄生表面传导PSC的效应。
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公开(公告)号：CN105895676B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201510367012.2
申请日：2015-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 一些实施例针对一种双极结晶体管(BJT)，BJT具有形成在半导体衬底的主体内的集电极区以及布置在半导体衬底的上表面上方的发射极区。BJT包括布置在半导体衬底的上表面上方的基极区，基极区将发射极区和集电极区垂直分隔开。基极区布置在导电基极层内并且与导电基极层接触，导电基极层将电流传递至基极区。相对于一些传统的方法，基极区包括平坦底面，平坦底面增大了基极区和半导体衬底之间的接触面积，因此减小了集电极/基极结处的电阻。基极区也可以包括基本上垂直的侧壁，基本上垂直的侧壁增大了基极区和导电基极层之间的接触面积，因此改进了至基极区的电流传递。本发明的实施例还涉及双极结晶体管(BJT)基极导体回调。
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公开(公告)号：CN105720090B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201510310452.4
申请日：2015-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种晶体管器件包括具有第一区和第二区的衬底；具有位于第一区上方的第一部分和位于第二区上方的第二部分的第一半导体材料的第一半导体层，第一部分与第二部分分隔开；位于第一半导体层的第二部分上方的第二半导体材料的第二半导体层；第一导电类型的第一晶体管，第一晶体管设置在第一区内并且具有形成在第一半导体层中的第一组源极/漏极区；以及第二导电类型的第二晶体管，第二晶体管设置在第二区内并且具有形成在第二半导体层中的第二组源极/漏极区。第二导电类型不同于第一导电类型，并且第二半导体材料不同于第一半导体材料。本发明的实施例还涉及改进的晶体管沟道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347645B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201310456351.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半导体衬底之上的第一栅极介电层上。具有第二栅极结构的复位晶体管位于第一栅极介电层上。栅极介电保护层设置栅极氧化物上在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸的位置处以及位于光电检测器上方的位置处。栅极介电保护层保护第一栅极介电层在有源像素传感器的制造过程中免于蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN107204330A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710138961.2
申请日：2017-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底和堆叠的电容器。该堆叠的电容器位于半导体衬底上方。该堆叠的电容器包括下电极板、上电极板、介电层、覆盖层、第一接触通孔和第二接触通孔。下电极板位于半导体衬底上方。上电极板位于下电极板上方。介电层位于下电极板和上电极板之间。覆盖层位于上电极板上方。第一接触通孔穿过所述覆盖层、所述上电极板和所述介电层，并且电连接至所述下电极板，其中，所述第一接触通孔与所述上电极板电性隔离；以及第二接触通孔电连接至所述上电极板。
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公开(公告)号：CN104517951B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410385345.3
申请日：2014-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种器件包括两个BSI图像传感器元件和第三元件。第三元件使用元件级堆叠方法接合在两个BSI图像传感器元件之间。每个BSI图像传感器元件都包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。BSI图像传感器元件的衬底包括光电二极管区，光电二极管区用于响应于入射到衬底的第二侧面上的辐射累积图像电荷。第三元件也包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。两个BSI图像传感器元件和第三元件的金属叠层电耦合。本发明还提供了具有晶圆级堆叠的双面BSI图像传感器。
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公开(公告)号：CN104037102B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310226966.2
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。
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公开(公告)号：CN104051433B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201310302532.6
申请日：2013-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/31116 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种防止在半导体晶圆背侧的加工过程中产生电弧的方法。本方法包括在背侧上方沉积介电层以及在介电层上方沉积抗电弧层。抗电弧层是导电层，但不用于传导信号或电能。方法进一步包括蚀刻穿过半导体晶圆的多个材料层的开口。开口露出位于半导体晶圆的前侧的导电层。此外，本方法包括在开口中沉积导电层，以形成穿过晶圆的互连件。本文也公开了根据本方法制造的半导体晶圆。
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