公开(公告)号：CN1706034A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001409.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  大岛康弘 ,  吉井直树 ,  重冈隆 ,  川村刚平 ,  福田幸夫 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。

公开(公告)号：CN1531743A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN01816575.3

申请日：2001-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  田村登 ,  小岛康彦 ,  石坂忠大

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/466 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109

Abstract: 将载置单晶片W并在内部具备加热器(22)的加热板(21)载置于在内部具备冷却介质室的冷却块(16)上。在冷却块(16)上设置贯穿其的气体导入管(33)。气体导入管(33)与加热板(21)和冷却块(16)的间隙(41)相连，可以将作为热传导气体的He气体供给至间隙(41)。另外，间隙(41)连接有气体吸引管(34)，可以吸引He气体。

公开(公告)号：CN102341525A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080008289.1

申请日：2010-01-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  桧皮贤治

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在腔室(1)内收纳晶片W，在腔室1内以气相状态导入作为1价Cuβ二酮配位化合物的Cu(hfac)TMVS和还原该配位化合物的还原剂，通过CVD法在晶片W上形成Cu膜。

公开(公告)号：CN101484609B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200780025177.5

申请日：2007-07-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：将基板载置在密封状态的处理容器内的基板载置工序；向上述处理容器内供给水蒸气，并向上述处理容器内供给由铜的有机化合物组成的原料气体，在上述基板上形成铜的紧贴层的第一成膜工序；将上述处理容器内的水蒸气和原料气体排出的排出工序；以及向上述处理容器内仅再次供给上述原料气体，在上述紧贴层之上进一步形成铜膜的第二成膜工序。

公开(公告)号：CN100523293C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580027616.7

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  小岛康彦

IPC: C23C16/52 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C16/455 ,  C23C28/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/165 ,  C23C10/02 ,  C23C10/06 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C26/00 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，即使在具有纵横比大的凹部的被处理体的表面使用凝集性高的金属的情况下，也能够形成连续的薄膜。该方法包括以下工序，将基板搬入反应容器内并进行载置的工序；向反应容器内供给包括第一金属化合物的原料气体、并使该第一金属化合物吸附于基板表面的工序；使该第一金属化合物与活性化还原性气体而得到的还原用等离子体接触，而得到第一金属层的工序；以及，使溅射用等离子体接触至少表面部是由与第一金属不同的第二金属所构成的靶电极，将逸出的第二金属注入第一金属层，得到合金层的工序，进行一次以上的这些吸附、还原、及合金化的一系列的循环。利用该方法，即使是在第一金属的凝集力强的情况下也能够抑制基板的移动，形成连续的膜厚小的薄膜。

公开(公告)号：CN100523287C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200680000633.6

申请日：2006-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  松泽兴明 ,  小岛康彦

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。

公开(公告)号：CN101115864A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004339.2

申请日：2006-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  小岛康彦 ,  佐藤浩

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45529 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975

Abstract: 本发明提供一种与基底的密着性高、能够抑制膜剥离的发生、而且即使微细化进一步发展也能够充分地提高阶梯覆盖、而且能够使合金种的元素充分地扩散的薄膜的叠层结构的形成方法。在该方法中，在能够抽真空的处理容器(4)内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，将以下工序分别交替进行1次以上：使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜(104)的合金种膜形成工序；和使用含有与上述第一金属不同的作为母材的第二金属的原料气体和还原气体，形成比上述合金种膜厚的由第二金属构成的母材膜(106)的母材膜形成工序。

公开(公告)号：CN100364046C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN03820662.5

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  石坂忠大 ,  小岛康彦 ,  大岛康弘 ,  重冈隆

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557

Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。

公开(公告)号：CN101065836A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580037146.2

申请日：2005-10-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  吉井直树

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  C23C16/18 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846

Abstract: 本发明的目的是使半导体装置的Cu扩散防止膜与Cu配线之间的密接性良好，并提高半导体装置的可靠性。为此，在本发明中的成膜方法是在被处理基板上形成Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在形成于被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成Cu膜的第二工序，并且所述密接膜含有Pd。

公开(公告)号：CN1826428A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480002181.6

申请日：2004-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  小岛康彦 ,  重冈隆 ,  河南博 ,  石坂忠大

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl4气体附着于基板上或附着于基板的TiCl4分子上，把作为反应气体的NH3气体供给到处理容器内，使此NH3与TiCl4反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl4气体附着于基板上前，把具有还原性的H2气供给到处理容器(30)内，使TiCl4变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl3)的工序。