公开(公告)号：CN115377184A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210544614.0

申请日：2022-05-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴布尔斯克 ,  M·豪夫 ,  H-J·舒尔茨 ,  H·舒尔茨 ,  B·斯托伊布

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

Abstract: 一种功率半导体器件包括：半导体本体；第一负载端子结构和第二负载端子结构；有源区域；漂移区；背侧区，包括第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带。第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带中的至少一个包括：多个第一区段，包括第二导电类型的至少一个第一区，具有至多50μm的最小横向延伸；和/或多个第二区段，与第二负载端子结构接触并且具有至少50μm的最小横向延伸。第二背侧发射极区带不同于第一背侧发射极区带之处在于：第一区段的存在；第二区段的存在；第一区段的最小横向延伸；第二区段的最小横向延伸；第一区段之间的横向距离；第二区段之间的横向距离；第一区的最小横向延伸；在同一第一区段内的邻近的第一区之间的横向距离。

公开(公告)号：CN114059149A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110901543.0

申请日：2021-08-06

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  H·奥夫纳

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 提出了一种制造直拉硅晶片(130)的方法。方法包括在提取时间段内从包括主要为n型的掺杂剂的硅熔体(110)中提取直拉硅晶锭(112)。方法进一步包括通过控制由硼源向硅熔体(110)的硼供给来在至少部分提取时间段内将硼引入到直拉硅晶锭(112)中。方法进一步包括确定沿着直拉硅晶锭(112)的晶轴(x)的特定电阻率、硼浓度和碳浓度。方法进一步包括将直拉硅晶锭(112)或直拉硅晶锭(112)的区段划分成直拉硅晶片(130)。方法进一步包括取决于特定电阻率、硼浓度和碳浓度中的至少两个来确定至少两组(1341,1342)直拉硅晶片(130)。

公开(公告)号：CN119743963A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411342007.1

申请日：2024-09-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F·普菲尔施 ,  H-J·舒尔茨 ,  V·范特里克

IPC: H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/63 ,  H10D62/10 ,  H10D64/01 ,  H10D64/27 ,  H10D1/40 ,  H10D80/20

Abstract: 本公开涉及功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法。功率半导体器件在单个芯片中包括：半导体本体，其被配置为在半导体本体的第一侧处的第一负载端子和半导体本体的第二侧处的第二负载端子之间传导负载电流；半导体本体内的第一传导类型的漂移区域；从第一侧朝向第二侧延伸的沟槽，每个沟槽包括通过沟槽绝缘体与半导体本体分离的沟槽电极；由所述沟槽横向限制的台面，其中台面包括第一类型台面和第二类型台面；以及半导体结构，每个包括以下的串联连接：第一传导类型的第一区域，其耦合到漂移区域或由漂移区域形成；第二传导类型的第二区域；以及第一传导类型的第三区域，其通过第一欧姆电阻器和齐纳二极管中的至少一个耦合到第一负载端子。

公开(公告)号：CN117954503A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311417532.0

申请日：2023-10-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·R·西米耶尼克 ,  H-J·舒尔茨 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/739 ,  H01L29/732 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了包括SIC半导体本体的竖向功率半导体器件。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括SiC半导体本体(102)，SiC半导体本体(102)具有沿着竖向方向(y)彼此相对的第一表面(104)和第二表面(106)。SiC半导体本体(102)包括在SiC半导体衬底(1022)上的至少一个SiC半导体层(1021)。pn结(108)被形成在至少一个SiC半导体层(1021)中。第一负载电极(L1)被布置在第一表面(104)上。竖向功率半导体器件(100)进一步包括从第二表面(106)延伸到SiC半导体衬底(1022)中的多个第一沟槽(110)。第二负载电极(L2)被布置在第二表面(106)上。第二负载电极(L2)被至少经由多个第一沟槽(110)的侧壁(112)电连接到SiC半导体衬底(1022)。在第二表面(106)处的多个第一沟槽的最小横向延伸(l1)与多个第一沟槽(110)距第二表面(106)的深度(t1)之间的比率在从0.5至5的范围内。

公开(公告)号：CN117438296A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310904967.1

申请日：2023-07-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 ,  R·K·乔西 ,  H-J·舒尔茨 ,  B·戈勒 ,  D·克拉斯诺宗

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 提供了碳化硅半导体衬底上制造接触的方法和碳化硅半导体器件。本公开总体涉及在碳化硅半导体衬底上制造接触的方法，其中该方法包括：提供4H‑SiC半导体衬底；用第一热退火激光束照射4H‑SiC半导体衬底的表面区域，从而生成至少包括3C‑SiC层的表面区域的相分离；以及在3C‑SiC层上沉积接触材料以在半导体衬底上形成接触层。本公开还涉及具有欧姆接触的碳化硅半导体器件，包括4H‑SiC半导体衬底、3C‑SiC层和在半导体表面处与3C‑SiC层直接接触的接触层。

公开(公告)号：CN116895683A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310354512.7

申请日：2023-04-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  R·埃尔佩特 ,  J·P·康拉斯 ,  K·施拉姆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 提出了宽带隙半导体器件(100)。宽带隙半导体器件(100)包括半导体本体(102)，半导体本体(102)具有第一表面(104)和沿着竖直方向(y)与第一表面(104)相对的第二表面(106)。宽带隙半导体器件(100)还包括至少部分地邻接第一表面(104)的第一导电类型的第一区(108)、第二导电类型的漂移区(110)、邻接第二表面(106)的高掺杂第二区(112)。宽带隙半导体器件(100)还包括布置在漂移区(110)与高掺杂第二区(112)之间的第二导电类型的缓冲区(114)。缓冲区(114)的掺杂浓度(c)的竖直分布在第一区段(1141)中包括至少一个台阶(116)并且在第二区段(1442)中朝向第二表面(106)近似指数地增加。第一区段(1141)布置在第二区段(1442)和高掺杂第二区(112)之间。

公开(公告)号：CN116779640A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310261510.3

申请日：2023-03-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·R·斯蒂格纳 ,  M·杰利內克 ,  J·P·康拉斯 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本公开涉及用于产生SiC超结器件的方法。公开一种方法，该方法包括：测量SiC超结器件的超结区的至少一个特性，其中，所述超结区布置在半导体本体中并且包括第一掺杂类型的多个第一区和与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二区；以及在掺杂过程中在超结区中产生一种掺杂类型的类掺杂剂缺陷。根据至少一个测量的特性来调节掺杂过程的至少一个参数。掺杂过程包括：注入过程，其中，将粒子注入到半导体本体中以在超结区中的半导体本体中形成晶体缺陷；以及退火过程，以便基于晶体缺陷形成类掺杂剂缺陷。

公开(公告)号：CN115692181A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210857182.9

申请日：2022-07-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特雷德 ,  R·K·乔希 ,  H-J·舒尔茨 ,  R·西米尼克 ,  A·科尼格

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45

Abstract: 本申请涉及在碳化硅衬底上制造欧姆接触的方法，除其他步骤外，所述方法还包括以下步骤：提供4H‑SiC或6H‑SiC衬底；将掺杂剂注入4H‑SiC或6H‑SiC衬底的表面区中；退火注入表面区，从而生成3C‑SiC层；以及在3C‑SiC层上沉积金属层，其中注入步骤包括具有至少两个不同注入能级的多个等离子体沉积步骤，并且其中选择注入能量和注入剂量以在退火步骤期间在4H‑SiC或6H‑SiC衬底的表面区中生成3C‑SiC层。此外，描述了通过应用本文所述方法来制造半导体器件的方法以及使用该方法获得的半导体器件，所述半导体器件具有至少三层的结构，包括4H‑SiC或6H‑SiC层、3C‑SiC层和金属层。

公开(公告)号：CN115579378A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210703672.3

申请日：2022-06-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B·斯托伊布 ,  M·杰利内克 ,  M·穆勒 ,  D·施勒格尔 ,  H-J·舒尔茨 ,  H·舒尔茨

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 公开了包括场停止区的半导体器件。一种半导体器件，其示例包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的第一导电类型的漂移区。半导体器件进一步包括在第二表面处的第一导电类型的第一区。半导体器件进一步包括在第二表面处的被布置成相邻于第一区的第二导电类型的第二区。第一导电类型的场停止区被布置在漂移区和第二表面之间。第二表面上的第一电极被布置成在第二表面的第一部分中直接相邻于第一区，并且在第二表面的第二部分中直接相邻于第二区。场停止区包括第一子区和在第一子区与第二表面之间的第二子区。在第二表面的第一部分的主要部分上，第二子区直接邻接第一区并且包括部分地补偿第一导电类型的掺杂剂的第二导电类型的掺杂剂。