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发明公开
用于产生SiC超结器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116779640A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310261510.3

申请日：2023-03-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·R·斯蒂格纳 , M·杰利內克 , J·P·康拉斯 , H-J·舒尔茨

IPC: H01L29/06 , H01L29/16

Abstract: 本公开涉及用于产生SiC超结器件的方法。公开一种方法，该方法包括：测量SiC超结器件的超结区的至少一个特性，其中，所述超结区布置在半导体本体中并且包括第一掺杂类型的多个第一区和与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二区；以及在掺杂过程中在超结区中产生一种掺杂类型的类掺杂剂缺陷。根据至少一个测量的特性来调节掺杂过程的至少一个参数。掺杂过程包括：注入过程，其中，将粒子注入到半导体本体中以在超结区中的半导体本体中形成晶体缺陷；以及退火过程，以便基于晶体缺陷形成类掺杂剂缺陷。

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