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公开(公告)号：CN1933152A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610032312.6
申请日：2006-09-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L21/82 , H01L21/8222
Abstract: 集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法，阴极梳条采取分区复合方式排布：结合圆周排布和矩形排布各自的优点，在分区内部采用矩形排布，而各个分区之间仍按圆周排布。分区的方式各不相同，有些还充许局部修改梳条的位置或尺寸。所述的分区复合方法是：分区由扇区和环道两重分割形成，其中，所述的分区是一个等腰梯形区，它是梳条的基本排布单元；所述的扇区是将圆面沿径向等分为m个相同面积的扇形区，当m较较低时，接近于矩形排布；当m较高时，接近圆周分布。所述的环道是将圆面按正多边形划分为n个不同面积的同心环形区，这个值与芯片直径和梳条长度的选取有关；n越大，梳条总数越多，对电流有益。
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公开(公告)号：CN104538321A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN101640172B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910166483.1
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/22
Abstract: 本发明公开了一种扩散铝的方法，包括：清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片；将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二铝源壶依次装入石英管；用石英封头封住所述石英管的管口，对整个石英管执行闭管扩铝工艺。本发明提供的扩散铝的方法，通过为具有硼扩散层的硅晶片使用陪片，使得在所述硅晶片上扩散铝能够顺利进行，解决了现有技术无法直接在具有硼扩散层的硅晶片上扩散铝的工艺障碍。
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公开(公告)号：CN102130021A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110000519.6
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN102130020A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110000503.5
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件的封装方法，选择覆铜的氮化铝作衬板材料，衬板上设有一层钼片作为焊接面；选择镀镍的铝碳化硅作基板材料，该封装方法包括以下步骤：将碳化硅芯片焊接在衬板的焊接面上，将衬板焊接在基板上；将引线的一端与碳化硅芯片的电极焊接，另一端与衬板上的电极焊接；将功率接线端子焊在衬板的电极上；安装管壳，填充热膨胀缓冲层和密封剂，再安装管盖。本发明可有效提高碳化硅功率器件的使用温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404273B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810215653.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体器件，包括门极换流晶闸管和印刷电路板；门极换流晶闸管包括阳极端(103)、阴极端(101)、管壳(105)以及由管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；门极引线(111)具有安装面(112)；印刷电路板包括安装孔(302)和第一接触电极；门极换流晶闸管插入印刷电路板的安装孔(302)中，并使安装面(112)与第一接触电极接触；门极换流晶闸管还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；安装孔的周围、与第一接触电极同侧还具有第二接触电极；阴极引线(109)具有安装面，且阴极引线的安装面(110)与第二接触电极接触。本发明的半导体组件组装简单。
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公开(公告)号：CN101144845B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710036058.1
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 芯片门阴极间PN结阴断特性施加压测试方法及装置，将芯片置于一种带阳极钼片、阴极钼片和弹性门极件的加压式门阴极阻断特性的中间检测夹具之间，通过一个夹持机构带动阳极钼片或阴极钼片，使阳极钼片和阴极钼片在一定的压力下相互与芯片贴合在一起，再通过一个施力机构使芯片上的阴极梳条通过钼片电联通，在阴极钼片下装有门极，并通过弹力导柱引出，接至检测电源及仪表，通过检测仪表显示半导体芯片室温时的门阴极阻断特性的中间检测结果。
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公开(公告)号：CN101673761A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910178577.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及半导体组件。一种半导体器件，具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔；或者，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件，不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定，安装极为方便，而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积，使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感。
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公开(公告)号：CN101640172A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910166483.1
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/22
Abstract: 本发明公开了一种扩散铝的方法，包括：清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片；将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二铝源壶依次装入石英管；用石英封头封住所述石英管的管口，对整个石英管执行闭管扩铝工艺。本发明提供的扩散铝的方法，通过为具有硼扩散层的硅晶片使用陪片，使得在所述硅晶片上扩散铝能够顺利进行，解决了现有技术无法直接在具有硼扩散层的硅晶片上扩散铝的工艺障碍。
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公开(公告)号：CN101145510A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710035981.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 半导体芯片梳条修理方法及装置，通过一套模拟手工修理方法的梳条修理机构对有问题的梳条进行修理。所述的模拟手工修理方法是通过一套定位装置将半导体器件芯片固定在显微工作台上，再由一套模拟手工修理芯片梳条的剔梳条机构完成芯片梳条的修理。其中，所述的模拟手动修理芯片梳条的剔梳条机构是通过一微动定位机构将修理梳条的刀具刀口调至待剔梳条的根部及对准梳条的长度方向，准备剔条；再由与刀具安装在一起的拴导机构使刀口产生所需的直线运动，完成剔除梳条的动作。所述的梳条修理机构由芯片定位座、刀具、微动定位机构及拴导机构几部分构成，整个结构置于“显微工作台”内。
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