公开(公告)号：CN116575119A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310090773.2

申请日：2023-02-09

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 四户孝 ,  安藤裕之 ,  樋口安史 ,  松田慎平 ,  谷口和也 ,  渡边弘纪 ,  松木英夫

IPC: C30B29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  C30B29/22 ,  C30B29/20 ,  C30B25/00 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜，以相对于c面倾斜的面为主面，包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。

公开(公告)号：CN115101587A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210758521.8

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 髙桥勲 ,  四户孝 ,  德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B28/14 ,  C30B29/16 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及结晶性多层结构、半导体装置及多层结构。本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。

公开(公告)号：CN114402437A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064671.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典 ,  今藤修 ,  四户孝

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种层叠结构体和使用层叠结构体的半导体装置，该层叠结构体对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷。一种层叠结构体，通过在半导体膜的一部分上层叠有绝缘体膜而成，所述半导体膜具有刚玉结构，并且包含结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体含有选自元素周期表第9族和第13族中的一种或两种以上的金属，所述绝缘体膜具有20°以下的锥形角。

公开(公告)号：CN112424947A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046489.7

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其为常闭型半导体装置且包括氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有刚玉结构，或者包含氧化镓或其混晶作为主成分，所述半导体装置的阈值电压为3V以上。

公开(公告)号：CN112424945A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046420.4

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种层叠结构体，其特征在于，在包含氧化镓或其混晶作为主成分的氧化物半导体膜上，层叠有包含元素周期表第15族元素中的至少一种元素的氧化膜。

公开(公告)号：CN112385048A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980046507.1

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶具有刚玉结构。

公开(公告)号：CN109952392A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201780068749.1

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 髙桥勲 ,  四户孝 ,  德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。

公开(公告)号：CN119654782A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380057977.4

申请日：2023-09-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 四户孝 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  松木英夫 ,  渡边弘纪 ,  金村高司

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/48

Abstract: 提供一种能够在抑制氧化镓系半导体的特性劣化的同时进行工作的功率转换电路。一种功率转换电路，至少具有开关元件、以及检测所述开关元件的短路状态并基于检测结果来执行所述开关元件的关断操作的控制部，其中，所述开关元件包含氧化镓系半导体，所述控制部控制所述开关元件的关断操作，以使从所述短路的发生开始到关断操作为止的时间小于1.4μsec。

公开(公告)号：CN109427867B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810971991.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN115885390A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180050849.8

申请日：2021-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  四户孝 ,  安藤裕之 ,  松原佑典 ,  北角英人

IPC: H01L29/872

Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接；以及芯片焊盘，共同载置所述多个PN结二极管中的至少一个与所述肖特基势垒二极管。