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公开(公告)号：CN107039344A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710057126.6
申请日：2017-01-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L2224/80801 , H01L2924/15323 , H01L21/56 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/16227 , H01L2224/8102 , H01L2224/81048 , H01L2224/81815
Abstract: 一种元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体及其制造方法，能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在对具有多个元件区域且元件面被绝缘膜覆盖的基板进行分割而制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中，将基板暴露于第一等离子体，从而将基板分割为元件芯片，成为使具备第一面、第二面以及侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在载体上且使侧面和绝缘膜露出的状态。然后，将元件芯片暴露于第二等离子体，从而将露出的侧面中的与绝缘膜相接的区域部分地除去而形成凹陷部，并通过第三等离子体从而用保护膜覆盖凹陷部，抑制安装过程中导电性材料向侧面爬升。
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公开(公告)号：CN106024682A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610034741.0
申请日：2016-01-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 一种等离子处理装置，对保持于输送载体的基板进行等离子处理，输送载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架，基板保持于保持片，等离子处理装置具备：反应室；配置在反应室的内部，搭载输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的升降机构，1)使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，保持片的外周部与工作台接触前，静电吸附机构开始向电极部施加电压，或2)电极部具备配置为同心圆状的多个环形电极，在使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，静电吸附机构从多个环形电极的中心侧依次向外周侧施加电压。
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公开(公告)号：CN105390359A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510514504.X
申请日：2015-08-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板等离子体处理时，提高产品的成品率。传送载体具备框架和覆盖框架的开口的保持片，基板被保持片保持，该装置具备：传送机构，传送保持有基板的传送载体；位置计测部，计测基板相对于框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，等离子体处理台载置保持有基板的传送载体，罩体覆盖在等离子体处理台上载置的框架和保持片的至少一部分，且具有使基板的至少一部分露出的窗部；控制部，基于由位置计测部计测的基板相对于框架的位置信息，以使窗部和基板满足预定的位置关系的方式控制传送机构将保持基板的传送载体载置于等离子体处理台。
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公开(公告)号：CN105140094A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510271217.0
申请日：2015-05-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供等离子处理装置及方法，使得保持片在除电处理中不易受到热损伤。等离子处理装置具备：处理室(5)；等离子源(9)，在处理室(5)内产生等离子体；搬运载体(4)，具有保持基板(2)的保持片(6)和以包围基板(2)的方式安装在保持片(6)上的框架(7)；工作台(11)，设置在处理室(5)内，在载置有搬运载体(4)的载置区域具有气体供给孔(29)；静电吸附部(22a)，设置在工作台(11)内，对搬运载体(4)进行静电吸附；及气体供给部(31)，通过经由工作台(11)的气体供给孔(29)供给气体，来辅助搬运载体(4)从工作台(11)脱离。
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公开(公告)号：CN107180754B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201710091515.0
申请日：2017-02-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种等离子体处理方法，能够以简易的工序实现精细的图案化。等离子体处理方法包括：粘附工序，在具备第一主面和第一主面的相反侧的第二主面的基板的第一主面粘附树脂膜；以及图案化工序，对树脂膜进行图案化，从而形成具有使基板的被处理区域露出的开口部的掩模。而且，等离子体处理方法包括：第一等离子体工序，在包含第一气体的减压环境中生成第一气体的第一等离子体，并使掩模暴露于第一等离子体，从而减少掩模与第一主面之间的空隙。进而，等离子体处理方法包括：第二等离子体工序，在包含第二气体的环境中用第二气体生成第二等离子体，并使从开口部露出的被处理区域暴露于第二等离子体，从而对被处理区域进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558541B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201610825780.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升的元件芯片的制造方法。在对具有多个元件区域的基板进行分割来制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中所利用的等离子处理工序之中，通过使基板暴露于第1等离子体中，从而将基板分割为元件芯片(10)，具备第1面(10a)、第2面(10b)以及连结第1面(10a)和第2面(10b)的侧面(10c)的元件芯片(10)在载体(4)上成为相互空出间隔被保持的状态。通过使这些元件芯片(10)暴露于以氟化碳和氦的混合气体为原料气体的第2等离子体中，由此形成覆盖侧面(10c)的保护膜(12c)，来抑制安装过程中的导电性材料向侧面(10c)的爬升。
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公开(公告)号：CN106560915B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201610865508.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种元件芯片的制造方法和电子部件安装结构体的制造方法。在将在元件区域形成了元件电极露出的凸部的基板进行分割来制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中，通过蚀刻将基板进行分割后，使元件芯片(10)暴露于第2等离子体(P2)，由此在元件芯片(10)的第2面(10b)、侧面(10c)、空隙部(S)的第1面(10a)，形成由氟碳膜构成的保护膜，接下来使元件芯片(10)暴露于第3等离子体(P3)，由此使形成于空隙部(S)的保护膜的至少一部分残留，去除形成在元件芯片(10)的第2面(10b)、侧面(10c)的保护膜。由此，通过残留的保护膜来抑制安装过程中的导电性材料的爬升。
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公开(公告)号：CN107871659A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710886275.3
申请日：2017-09-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 松原功幸
IPC: H01L21/027 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/3065 , G03F7/039 , G03F7/091 , H01L21/0274 , H01L21/308 , H01L21/3086 , H01L21/31138 , H01L21/32 , H01L21/32136 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L21/0273 , G03F7/165
Abstract: 本发明公开了一种用于通过在被保持带保持的基板上形成抗蚀剂层，然后通过等离子体蚀刻基板来制造元件芯片的制造方法。所述制造方法包括以下步骤：制备被保持在保持带上的基板的步骤，所述基板包括彼此相反的第一侧部和第二侧部，并且所述基板的第二侧部被保持在保持带上，基板还包括多个元件区域和限定元件区域中的每一个的多个分割区域；喷涂抗蚀剂溶液以形成抗蚀剂溶液的液滴的步骤，所述抗蚀剂溶液含有抗蚀剂成分和溶剂；通过从所述液滴蒸发所述溶剂并将所述抗蚀剂成分沉积在被保持在所述保持带上的所述基板的第一侧部上从而形成抗蚀剂层的步骤；图案化抗蚀剂层以在分割区域中露出基板的第一侧部的步骤；和等离子体刻蚀在基板的分割区域中被露出的第一侧部上的基板。
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公开(公告)号：CN107180752A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710088442.X
申请日：2017-02-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/82 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0337 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/56 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L21/82 , H01L23/31
Abstract: 一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆解理起点来提高元件芯片的抗弯强度。该制造方法包括：准备基板的工序；激光划片工序，对基板的分割区域照射激光而形成第1及第2损伤区域；各向异性蚀刻工序，将基板暴露于第1等离子体来除去第1损伤区域，并使第2损伤区域的一部分露出。还包括：保护膜沉积工序，使保护膜沉积在元件区域、分割区域和露出的第2损伤区域的一部分；保护膜蚀刻工序，将基板暴露于第2等离子体来除去沉积在分割区域的保护膜的一部分及沉积在元件区域的保护膜，并使覆盖第2损伤区域的一部分的保护膜残留。还包括等离子体切割工序，在用支承构件支承了第2主面的状态下将基板暴露于第3等离子体来将基板分割为元件芯片。
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公开(公告)号：CN107039345A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710062994.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L23/3178 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31138 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/293 , H01L23/3185 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2223/5446 , H01L23/3171
Abstract: 本发明提供一种元件芯片的制造方法以及元件芯片，能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在对具有多个元件区域的基板(1)进行分割而制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中，将基板暴露于第一等离子体，从而将基板分割为元件芯片(10)。而且，成为具备第一面(10a)、第二面(10b)以及形成有多个凸部的侧面(10c)的元件芯片(10)彼此隔开间隔保持在载体(4)上的状态。通过将元件芯片(10)暴露于第二等离子体，从而在元件芯片(10)的侧面(10c)形成保护膜(12c)，在形成该保护膜时，通过保护膜(12c)至少被覆形成在侧面(10c)的凸部，抑制安装过程中导电性材料向侧面(10c)爬升。
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