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公开(公告)号：CN107180789B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201710088441.5
申请日：2017-02-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/308
Abstract: 一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆会成为解理起点的半导体层来提高元件芯片的抗弯强度。该制造方法包括：激光划片工序，对基板的分割区域照射激光，在分割区域形成具备露出第1层的露出部的开口；保护膜沉积工序，使保护膜沉积在元件区域及分割区域。还包括保护膜蚀刻工序，使基板暴露于第1等离子体来各向异性地蚀刻保护膜，除去沉积在分割区域的保护膜的一部分及沉积在元件区域的保护膜，并使覆盖元件区域的端面的保护膜残留。还包括：各向同性蚀刻工序，使基板暴露于第2等离子体来各向同性地蚀刻分割区域；等离子体切割工序，在用支承构件支承了第2主面的状态下，将基板暴露于第3等离子体来将基板分割为具备元件区域的多个元件芯片。
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公开(公告)号：CN105390361B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201510546887.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，具备：腔体，具有减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，冷却台；罩体，覆盖保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板露出到等离子体的窗部；移动装置，使罩体相对于框架的相对位置移动，罩体具备：顶盖部，与载置于台上的框架相对；筒状周侧部，从顶盖部的周边缘向台侧延伸；矫正部件，从顶盖部和/或周侧部相对于载置于台上的框架突出，使框架推压台来矫正框架的歪斜。
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公开(公告)号：CN107180752A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710088442.X
申请日：2017-02-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/82 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0337 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/56 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L21/82 , H01L23/31
Abstract: 一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆解理起点来提高元件芯片的抗弯强度。该制造方法包括：准备基板的工序；激光划片工序，对基板的分割区域照射激光而形成第1及第2损伤区域；各向异性蚀刻工序，将基板暴露于第1等离子体来除去第1损伤区域，并使第2损伤区域的一部分露出。还包括：保护膜沉积工序，使保护膜沉积在元件区域、分割区域和露出的第2损伤区域的一部分；保护膜蚀刻工序，将基板暴露于第2等离子体来除去沉积在分割区域的保护膜的一部分及沉积在元件区域的保护膜，并使覆盖第2损伤区域的一部分的保护膜残留。还包括等离子体切割工序，在用支承构件支承了第2主面的状态下将基板暴露于第3等离子体来将基板分割为元件芯片。
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公开(公告)号：CN111226148B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201880067388.3
申请日：2018-10-11
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的波导片是取入所入射的入射光并在内部沿与入射光的入射方向交叉的方向引导光的波导片，具备：低折射率层；透光层，与低折射率层层叠，折射率比低折射率层高；以及衍射光栅，形成在透光层上，改变入射光的行进方向。衍射光栅的图样被分割为多个部分图样，多个部分图样分别是同心圆或同心多边形的形状。
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公开(公告)号：CN107180787B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201710082515.4
申请日：2017-02-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L27/12 , B23K26/364 , B23K10/00
Abstract: 一种元件芯片及其制造方法。元件芯片的制造方法包括激光划片工序，对具备第1层和第2层的基板的分割区域从第2层侧照射激光，从而在分割区域形成具备露出第1层的露出部的开口，并且在包含露出部的第1层的表层部形成第1损伤区域，在第1损伤区域的附近且被第2层覆盖的第1层的表层部形成第2损伤区域。而且，包括各向同性蚀刻工序，在激光划片工序之后，通过使基板暴露于第1等离子体从而各向同性地蚀刻第1层，从而除去第1损伤区域和第2损伤区域。还包括等离子体切割工序，在各向同性蚀刻工序之后，在用支承构件支承了第2主面的状态下，将基板暴露于第2等离子体，各向异性地蚀刻第1层，从而将基板分割为具备元件区域的多个元件芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105390360B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510546576.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，等离子体处理装置具备：腔体，具有能减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，对台冷却；罩体，覆盖载置于台上的传送载体的保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板的至少一部分露出到等离子体的窗部；矫正部件，将载置于台上的传送载体的框架向台推压来矫正所述框架的歪斜；移动装置，使矫正部件相对于框架的相对位置移动，矫正部件设置为独立于罩体并被罩体覆盖。
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公开(公告)号：CN105390361A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510546887.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32651 , H01J37/32366 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/3065 , H01L21/32139 , H01L21/67109 , H01L21/67288 , H01L21/6831 , H01L21/6836 , H01L21/68721 , H01L21/68742 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，具备：腔体，具有减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，冷却台；罩体，覆盖保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板露出到等离子体的窗部；移动装置，使罩体相对于框架的相对位置移动，罩体具备：顶盖部，与载置于台上的框架相对；筒状周侧部，从顶盖部的周边缘向台侧延伸；矫正部件，从顶盖部和/或周侧部相对于载置于台上的框架突出，使框架推压台来矫正框架的歪斜。
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公开(公告)号：CN105390360A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510546576.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32724 , H01J37/321 , H01J37/32651 , H01J37/32697 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68728 , H01L21/68742
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，等离子体处理装置具备：腔体，具有能减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，对台冷却；罩体，覆盖载置于台上的传送载体的保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板的至少一部分露出到等离子体的窗部；矫正部件，将载置于台上的传送载体的框架向台推压来矫正所述框架的歪斜；移动装置，使矫正部件相对于框架的相对位置移动，矫正部件设置为独立于罩体并被罩体覆盖。
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公开(公告)号：CN107180752B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710088442.X
申请日：2017-02-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/82 , H01L23/31
Abstract: 一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆解理起点来提高元件芯片的抗弯强度。该制造方法包括：准备基板的工序；激光划片工序，对基板的分割区域照射激光而形成第1及第2损伤区域；各向异性蚀刻工序，将基板暴露于第1等离子体来除去第1损伤区域，并使第2损伤区域的一部分露出。还包括：保护膜沉积工序，使保护膜沉积在元件区域、分割区域和露出的第2损伤区域的一部分；保护膜蚀刻工序，将基板暴露于第2等离子体来除去沉积在分割区域的保护膜的一部分及沉积在元件区域的保护膜，并使覆盖第2损伤区域的一部分的保护膜残留。还包括等离子体切割工序，在用支承构件支承了第2主面的状态下将基板暴露于第3等离子体来将基板分割为元件芯片。
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公开(公告)号：CN107180789A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710088441.5
申请日：2017-02-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/308
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/428 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2223/5446 , H01L21/3083
Abstract: 一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆会成为解理起点的半导体层来提高元件芯片的抗弯强度。该制造方法包括：激光划片工序，对基板的分割区域照射激光，在分割区域形成具备露出第1层的露出部的开口；保护膜沉积工序，使保护膜沉积在元件区域及分割区域。还包括保护膜蚀刻工序，使基板暴露于第1等离子体来各向异性地蚀刻保护膜，除去沉积在分割区域的保护膜的一部分及沉积在元件区域的保护膜，并使覆盖元件区域的端面的保护膜残留。还包括：各向同性蚀刻工序，使基板暴露于第2等离子体来各向同性地蚀刻分割区域；等离子体切割工序，在用支承构件支承了第2主面的状态下，将基板暴露于第3等离子体来将基板分割为具备元件区域的多个元件芯片。
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