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公开(公告)号：CN1333386C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN99810988.6
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/60
CPC classification number: G11B5/4853 , G11B5/484 , G11B5/5552
Abstract: 一种信息记录/重现设备，包括：头支撑机构，它包括头和用于携带该头的滑动器；主驱动装置，该头支撑机构还包括：负载梁；多个薄板，包括第一薄板和第二薄板；支撑该滑动器的部件；第一驱动子装置，包括固定在第一薄板上的第一薄膜；第二驱动子装置，包括固定在第二薄板上的第二薄膜，驱动子装置利用薄膜的挠性变形使得头作微小移动。
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公开(公告)号：CN1628976A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410042697.5
申请日：2004-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/472 , B41J2/14233 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/787 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种压电元件及其制造方法、有该压电元件的喷墨头、喷墨式记录装置及角速度传感器。压电元件具备第一电极膜(2)；压电体层叠膜(10)，由形成于第一电极膜(2)上的第一压电体膜(3)、和形成于该第一压电体膜(3)上且由其来控制结晶取向性的第二压电体膜(4)构成；和形成于第二压电体膜(4)上的第二电极膜(5)。第一和第二压电体膜(3、4)是结晶生长方向从压电体层叠膜(10)的厚度方向一侧指向另一侧的柱状粒子的集合体。第二压电体膜(4)的柱状粒子的截面直径比第一压电体膜(3)的柱状粒子的截面直径大。压电体层叠膜(10)的厚度1与第二压电体膜(4)的截面直径d的比l/d为20以上、60以下。
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公开(公告)号：CN1076850C
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN94119379.9
申请日：1994-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , C04B35/472 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/32 , H01L37/025
Abstract: 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。
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公开(公告)号：CN1153398A
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：CN96112720.1
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31
Abstract: 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。
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公开(公告)号：CN1111388A
公开(公告)日：1995-11-08
申请号：CN94119379.9
申请日：1994-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , C04B35/472 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/32 , H01L37/025
Abstract: 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102656692A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201180004276.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明包括：第一电极布线(151)，被形成为带状；第三层间绝缘层(16)；电阻变化层，被形成在覆盖存储单元孔(29)的底部及侧面的区域，且是由缺氧型过渡金属氧化物构成的第一电阻变化层(18a)、和由含氧率与所述第一电阻变化层(18a)不同的缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成的第二电阻变化层(18b)的层叠构造体；第一电极(19)，被形成在存储单元孔(29)的内部；以及第一布线(22)，在至少覆盖存储单元孔(29)的开口的区域，在与第一电极布线(151)交叉的方向上被形成为带状，在将所述过渡金属表示为M、将第一电阻变化层(18a)的组成表示为MOz、将第二电阻变化层(18b)的组成表示为MOxNy的情况下，满足z＞x+y的关系。
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公开(公告)号：CN101636840B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200780025155.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaOx的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
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公开(公告)号：CN101501849B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780028882.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。
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公开(公告)号：CN101501851B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200780029617.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置，电阻变化型元件(10)包括：第一电极；第二电极；以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其中，电阻变化层(3)包含具有以(ZnxFe1-x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性：通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升；通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。
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公开(公告)号：CN101878530A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200980101132.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
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