公开(公告)号：CN1076850C

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN94119379.9

申请日：1994-12-01

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 友泽淳 ,  藤井觉 ,  藤井映志 ,  高山良一 ,  小舟正文 ,  藤井知

IPC分类号： H01B3/12 ,  C01G23/00 ,  C04B35/46 ,  G01J5/12

CPC分类号： H01L41/316 ,  C04B35/472 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C30B23/02 ,  C30B29/32 ,  H01L37/025

摘要： 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。

公开(公告)号：CN1111388A

公开(公告)日：1995-11-08

申请号：CN94119379.9

申请日：1994-12-01

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 友泽淳 ,  藤井觉 ,  藤井映志 ,  高山良一 ,  小舟正文 ,  藤井知

IPC分类号： H01B3/12 ,  C01G23/00 ,  C04B35/46 ,  G01J5/12

CPC分类号： H01L41/316 ,  C04B35/472 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C30B23/02 ,  C30B29/32 ,  H01L37/025

摘要： 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。