公开(公告)号：CN1183322A

公开(公告)日：1998-06-03

申请号：CN97120140.4

申请日：1997-11-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充

IPC: B08B3/10

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/12 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种微波激发清洁及冲洗装置,其包含一个具有用于向槽提供纯水或清洁用化学物质溶液的供给管(2a)和用于从槽排出纯水或清洁用化学物质溶液的排出管(2b)的槽(1),及用于产生微波并用微波辐射槽内的纯水或清洁用化学物质溶液的微波振荡器(3)。

公开(公告)号：CN1574240A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045281.9

申请日：2004-06-04

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 富盛浩昭 ,  青木秀充 ,  岩本敏幸

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31111 ,  H01L28/40 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 根据本发明，可以刻蚀高－k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底50上形成氧化硅薄膜52，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜54。此后，通过抗蚀剂层58的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层56和高介电常数绝缘膜54，以及随后，通过多晶硅层56的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜54和氧化硅膜52的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。

公开(公告)号：CN1372313A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02105097.X

申请日：2002-02-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  富盛浩昭 ,  冈田纪雄 ,  宇佐美达矢 ,  大音光市 ,  谷国敬理

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,可以在控制其电阻增加的同时提高互连寿命,另外,可以提高制造稳定性;用包括氮元素的源气,通过对铜互连17的表面进行等离子处理,形成氮化铜层24,此后形成氮化硅膜18。在氮化铜膜24下,形成薄的硅化铜层25。

公开(公告)号：CN1267904A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00102991.6

申请日：2000-03-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山崎进也 ,  青木秀充

IPC: H01L21/304 ,  C23F1/08 ,  B08B3/02

CPC classification number: C23F1/26 ,  B08B3/02 ,  C23F1/08 ,  C23F1/18 ,  C23G3/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68707

Abstract: 提供一种蚀刻/清洗设备。该设备具有好的控制性并使得有选择性地清除存在于半导体晶片上的不需要的杂质而没有损害器件区域成为可能。装置包括:(a)用于固定半导体晶片和在水平面旋转所述晶片的旋转装置;在晶片的正面有器件区域和正面圆周区域;正面圆周区域放置在器件区域的外部;以及(b)向晶片的正面圆周区域喷射蚀刻/清洗液体的边缘喷嘴。

公开(公告)号：CN1221810A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98125072.6

申请日：1998-11-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 和气智子 ,  青木秀充

IPC: C23G5/032 ,  H01L21/302

CPC classification number: C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/4941 ,  Y10S438/906

Abstract: 对其上形成有构图的金属层的衬底进行清洗的方法,包括使用具有螯合作用的清洗液从衬底上除去金属杂质的步骤。清洗液为包括具有螯合作用的羧酸的水溶液。水溶液含有水溶性羧酸、铵基羧酸和具有氨基的羧酸中的一个。水溶性羧酸为乙酸、蚁酸、柠檬酸和乙二酸中的一个。构图的金属层由过渡金属和过滤金属的化合物中的一个与Si(硅)、N(氮)和O(氧)中的一个制成。

公开(公告)号：CN1204142A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98102661.3

申请日：1998-06-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  青木秀充 ,  土屋泰章 ,  山崎进也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 在半导体基片上形成其介电常数低于氧化硅膜的第一绝缘膜。接着,在第一绝缘膜上形成的具有吸湿度且在氧气等离子体处理中变形并对暴露在剥脱溶液中的金属膜或第二绝缘膜相同或少于氧化硅膜中的吸湿度。然后,将金属膜或第二绝缘制作成规定图形。使用金属膜或第二绝缘膜作为掩膜在第一绝缘膜中形成一开口。

公开(公告)号：CN1113034A

公开(公告)日：1995-12-06

申请号：CN95104078.2

申请日：1995-03-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北岛洋 ,  青木秀充 ,  滨野春人 ,  森田信 ,  白水好美 ,  中森雅治 ,  濑尾祐史 ,  清水裕司 ,  井内真 ,  佐佐木康 ,  N·太田 ,  K·渡边

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C02F1/4618 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/46185 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  C02F2209/42 ,  C02F2301/066

Abstract: 在湿法处理设备中设置了：电解槽(1′)；第一存储槽(11-1)存储电解槽的阳极活化水；第一处理槽(3′-1，3″-1)用第一存储槽的阳极活化水处理工件(303，331)；第二存储槽(11-2)存储电解槽的阴极活化水；第二处理槽(3′-2，3″-2)采用第二存储槽的阴极活化水处理工件(303，331)。且在第一处理槽与电解槽的阳极区之间设置第一再生反馈通道(12-1～16-1)，在第二处理槽与电解槽的阴极区之间设置第二再生反馈通道(12-2～16-2)。

公开(公告)号：CN1092477A

公开(公告)日：1994-09-21

申请号：CN94100382.5

申请日：1994-01-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中岛务

IPC: C23G1/00 ,  C25B1/10 ,  B08B3/10

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  C02F1/30 ,  C02F1/32 ,  C02F1/42 ,  C02F1/4618 ,  C02F9/00 ,  C02F2103/12 ,  C02F2103/346 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/46185 ,  C02F2209/06 ,  Y10S134/902

Abstract: 水在被多孔膜分为阳极室和阴极室的电解槽中电解以制备在阳极室中的含有氢离子的刚制备的阳极水和在阴极室中的含有氢氧离子的刚制备的阴极水。将刚制备的阳极水和阴极水分别从电解槽中放出，选择其中之一与湿处理目标相接触。通过在水中添加少量电解助剂诸如二氧化碳气体或乙酸铵和/或通过用波长不大于400nm或不小于300nm的电磁波照射在电解的水，可以增大水的电解效率。