公开(公告)号：CN101101875A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710126919.5

申请日：2007-07-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·M·盖茨 ,  S·V·恩古源 ,  R·D·米勒 ,  V·Y-W·李 ,  A·格里尔 ,  G·J-M·迪布瓦 ,  V·V·帕特尔

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/29 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了形成包括Si，C，O和H原子(SiCOH)或Si，C，N和H原子(SiCHN)的介质膜的方法，该介质膜具有增强的内聚强度(或等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性)，和增加的抗水侵蚀特性，例如应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性。本发明还提供了包括上述材料的电子结构。

公开(公告)号：CN1319148C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200410062390.1

申请日：2004-07-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  A·格里尔 ,  V·V·帕特尔 ,  D·D·雷斯塔伊诺

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

Abstract: 一种半导体器件结构及其制造方法，包括：具有顶部第一层的衬底；位于第一层顶部上的第二薄过渡层；以及位于过渡层顶部上的第三层，其中第二薄过渡层提供了该结构的第一和第三层之间的强粘附性和内聚强度。此外，半导体器件结构及其制造方法包括含有多个介质和导电层的绝缘结构，通过设置各过渡粘附层可以提高不同层之间的界面强度。此外，电子器件结构引入了多个绝缘层和导电材料层作为后段制程(“BEOL”)布线结构中层内或层间介质，其中通过薄中间过渡粘附层提高了不同两介质膜之间的界面强度。

公开(公告)号：CN1819180A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610002175.1

申请日：2006-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·莱恩 ,  R·D·米勒 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  S·V·恩古源

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01B3/18

CPC classification number: H01L31/103 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供了一种低k介质材料，用于包括互连和传感结构的电子结构中，具有增强的内聚强度，包括Si、C、O和H原子，其中部分C原子键合为Si－CH3官能团，以及另一部分C原子键合为Si－R－Si、－[CH2]n－、HC＝CH、C＝CH2、C≡C或[S]n联接，其中R是苯基，n大于或等于1。

公开(公告)号：CN1711625A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380103517.3

申请日：2003-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·H·克里斯坦森 ,  J·O·初 ,  A·格里尔 ,  P·M·穆尼

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种获得在Si或绝缘体上硅(SOI)衬底上的薄(小于300nm)的应变弛豫Si1－xGex缓冲层的方法。这些缓冲层具有释放应变的均匀分布的失配位错、显著平滑的表面、以及低螺旋位错(TD)密度，即小于106cm－2。所述方法首先生长假晶或近似假晶Si1－xGex层，即没有失配位错的层，然后将He或其它轻元素注入所述层，随后进行退火，以获得充分的应变弛豫。在本方法中使用的非常有效的应变弛豫机制是在He致片晶(无气泡)上的位错成核，所述片晶位于Si/Si1－xGex界面之下，平行于Si(001)表面。

公开(公告)号：CN1477717A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03150025.0

申请日：2003-07-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·辛格 ,  K·L·森格尔 ,  V·V·帕特尔 ,  A·格里尔 ,  S·J·克斯特

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28587 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明公开了一种用于调制掺杂的场效应晶体管(MODFET)的增强的T形栅极的结构和方法。增强的T形栅极具有将T形栅极的颈部夹在之间的绝缘间隔层。间隔层薄于T形条部分悬伸部分。绝缘层提供了机械支撑并在随后的器件处理期间保护了脆弱的颈部不受化学侵蚀，使T形栅极结构具有高的伸缩性并提高了成品率。使用低介电常数的薄保形绝缘层可以确保低栅极寄生电容，并降低了在源－栅间距减小到较小尺寸时，栅极和源极冶金接触短路的危险性。

公开(公告)号：CN103871894B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310626171.0

申请日：2013-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  M·A·古罗恩 ,  A·格里尔 ,  L·希

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其形成方法。提供了一种形成半导体器件的方法。该方法包括提供一结构，该结构包括处理衬底、位于所述处理衬底的最上表面上方的掩埋氮化硼层、位于所述掩埋氮化硼层的最上表面上的掩埋氧化物层、以及位于所述掩埋氧化物层的最上表面上的顶部半导体层。接下来，将第一半导体衬垫、第二半导体衬垫和多条半导体纳米线构图到所述顶部半导体层中，所述半导体纳米线以梯子状构造连接所述第一半导体衬垫和所述第二半导体衬垫。通过从每条半导体纳米线下方去除所述掩埋氧化物层的一部分而使所述半导体纳米线悬置，其中所述掩埋氮化硼层的最上表面的一部分暴露。接下来，形成全包围栅场效应晶体管。

公开(公告)号：CN103199080B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310000706.3

申请日：2013-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·阮 ,  G·博尼拉 ,  A·格里尔 ,  T·J·小黑格 ,  S·V·妮塔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/249969 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电介质堆叠和使用单步骤沉积工艺向衬底沉积堆叠的方法。该电介质堆叠包括具有不同组成原子百分比、密度和多孔度的相同元素化合物的密致层和多孔层。该堆叠增强机械模量强度并且增强氧化和铜扩散阻挡属性。电介质堆叠具有遍布网络的无机或混合的无机-有机随机三维共价键，该网络包含不同化学组成的不同区域，诸如与具有相同类型材料但是具有较高多孔度的低k组件相邻的帽组件。

公开(公告)号：CN103247679A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210495135.0

申请日：2012-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  D·B·法默 ,  A·格里尔 ,  林佑民 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  D·法伊弗 ,  朱文娟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。

公开(公告)号：CN101548362B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200680002276.7

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·W·莱恩 ,  E·G·利宁格 ,  刘小虎 ,  S·V·恩古源 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  T·M·肖

IPC: H01L21/20 ,  B32B3/26 ,  B05C11/00

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249979

Abstract: 本发明描述了一种用于制造具有受控的双轴应力的超低介电常数层的方法，所述方法包括以下步骤：通过PECVD和旋涂中的一种形成包含Si、C、O和H的层，并且在包含均小于10ppm的非常低浓度的氧气和水的环境中固化所述膜。还通过使用所述方法描述了一种具有不大于2.8的介电常数的材料。本发明克服了形成具有小于46MPa的低双轴应力的膜的问题。

公开(公告)号：CN101958311A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010227409.9

申请日：2010-07-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·A·科恩 ,  A·格里尔 ,  T·J·小黑格 ,  刘小虎 ,  S·V·源 ,  T·M·肖 ,  H·肖芭

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体结构和形成方法。提供一种具有低于4.2的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对UV和/或E束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层中的至少一层具有良好的抗氧化性，对导电金属扩散有抵抗性，并且在至少UV固化时呈现高机械稳定性。该低k介电帽盖层还包括含氮层，该含氮层包含电子施主和双键电子。该低k介电帽盖层还呈现高压缩应力和高模量，且在沉积后的固化处理之下稳定，这导致较少的膜和器件开裂以及改善的器件可靠性。