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公开(公告)号：CN100517688C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610147080.9
申请日：2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于半导体处理以帮助阻止由切片刃的切割引起的裂纹扩展和脱层的坚固的对准标记。十字形结构用作对准切片刃的线位置。多个矩形部件位于对准标记的外周周围，并分布有过孔条结构，该过孔条结构在晶片的每级均互连，并在每个部件内以S形方式分布，以将更大的过孔条结构表面区域暴露到扩展裂纹。矩形部件由不同的尺寸形成，以将更大的表面区域暴露到扩展裂纹。多个方形金属级结构形成在十字形结构与沿外周设置的矩形部件之间的区域中。
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公开(公告)号：CN1783479A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510117378.0
申请日：2005-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种位于其中嵌有至少一个导电特征的低k介质材料的表面上的硬掩模。该硬掩模包括相邻于低k介质材料的密封氧化物材料的下区域和位于所述密封氧化物材料上的包括Si、C和H原子的上区域。本发明还提供了制造本发明硬掩模的方法以及形成包括该硬掩模的互连结构的方法。
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公开(公告)号：CN101359621B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810145137.0
申请日：2008-07-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种加固结构的方法，以便弥补结构中的缺陷、加强该结构并因此加固电介质而并不折衷该结构的期望的低介电常数。本发明的方法包括步骤：提供具有至少一个互连结构的半导体结构；切割该互连结构；将至少一种浸渗剂应用到该互连结构；以及使该浸渗剂浸渗以浸渗到该互连结构中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100539118C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610002175.1
申请日：2006-01-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01B3/18
CPC classification number: H01L31/103 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种低k介质材料，用于包括互连和传感结构的电子结构中，具有增强的内聚强度，包括Si、C、O和H原子，其中部分C原子键合为Si-CH3官能团，以及另一部分C原子键合为Si-R-Si、-[CH2]n-、HC＝CH、C＝CH2、C≡C或[S]n联接，其中R是苯基，n大于或等于1。
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公开(公告)号：CN101359621A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810145137.0
申请日：2008-07-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种加固结构的方法，以便弥补结构中的缺陷、加强该结构并因此加固电介质而并不折衷该结构的期望的低介电常数。本发明的方法包括步骤：提供具有至少一个互连结构的半导体结构；切割该互连结构；将至少一种浸渗剂应用到该互连结构；以及使该浸渗剂浸渗以浸渗到该互连结构中。
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公开(公告)号：CN100388477C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510117378.0
申请日：2005-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种位于其中嵌有至少一个导电特征的低k介质材料的表面上的硬掩模。该硬掩模包括相邻于低k介质材料的密封氧化物材料的下区域和位于所述密封氧化物材料上的包括Si、C和H原子的上区域。本发明还提供了制造本发明硬掩模的方法以及形成包括该硬掩模的互连结构的方法。
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公开(公告)号：CN1967837A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610147080.9
申请日：2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于半导体处理以帮助阻止由切片刃的切割引起的裂纹扩展和脱层的坚固的对准标记。十字形结构用作对准切片刃的线位置。多个矩形部件位于对准标记的外周周围，并分布有过孔条结构，该过孔条结构在晶片的每级均互连，并在每个部件内以S形方式分布，以将更大的过孔条结构表面区域暴露到扩展裂纹。矩形部件由不同的尺寸形成，以将更大的表面区域暴露到扩展裂纹。多个方形金属级结构形成在十字形结构与沿外周设置的矩形部件之间的区域中。
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公开(公告)号：CN1819180A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610002175.1
申请日：2006-01-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01B3/18
CPC classification number: H01L31/103 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种低k介质材料，用于包括互连和传感结构的电子结构中，具有增强的内聚强度，包括Si、C、O和H原子，其中部分C原子键合为Si－CH3官能团，以及另一部分C原子键合为Si－R－Si、－[CH2]n－、HC＝CH、C＝CH2、C≡C或[S]n联接，其中R是苯基，n大于或等于1。
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