公开(公告)号：CN101958260A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010229586.0

申请日：2010-07-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·H·道本斯佩克 ,  J·P·甘比诺 ,  C·D·穆兹 ,  D·L·奎斯塔德 ,  W·索特 ,  T·D·沙利文 ,  P·P·弗蒂尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 可控坍塌芯片连接(C4)结构和制造方法，并且更具体地，涉及用以改进无引线C4互连可靠性的结构和方法。一种结构，包括球限定金属化(BLM)层和形成于所述BLM层之上的可控坍塌芯片连接(C4)焊料球。此外，该结构包括所述BLM层之下的最终金属焊盘层以及所述最终金属焊盘层之下的保护层。而且，该结构包括在所述C4焊料球之下、并且在所述最终金属焊盘层与所述BLM层和所述保护层之一之间形成的空气间隙。

公开(公告)号：CN101527295A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910001303.4

申请日：2009-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·凯克尔 ,  D·O·鲍威尔 ,  D·L·奎斯塔德 ,  D·J·罗素 ,  S·M·西-贾扬塔

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0222 ,  H05K1/115 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09609 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/4919 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明涉及用于可靠电子衬底的集聚堆叠的过孔结构及其制造方法。一种用于衬底/芯片组件中的堆叠的过孔的衬底过孔结构包括：中心过孔堆叠和围绕所述中心过孔堆叠集聚的多个堆叠的过孔。在所述结构中，所述中心过孔和周围的过孔由铜制造。所述周围的过孔中的一些可以是非功能性的，并且非功能性过孔可以具有与功能性过孔不同的高度。

公开(公告)号：CN101359621B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200810145137.0

申请日：2008-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 黄遏明 ,  W·F·兰德斯 ,  M·莱恩 ,  E·G·利尼格 ,  刘小虎 ,  D·L·奎斯塔德 ,  T·M·肖

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种加固结构的方法，以便弥补结构中的缺陷、加强该结构并因此加固电介质而并不折衷该结构的期望的低介电常数。本发明的方法包括步骤：提供具有至少一个互连结构的半导体结构；切割该互连结构；将至少一种浸渗剂应用到该互连结构；以及使该浸渗剂浸渗以浸渗到该互连结构中。

公开(公告)号：CN101359621A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810145137.0

申请日：2008-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 黄遏明 ,  W·F·兰德斯 ,  M·莱恩 ,  E·G·利尼格 ,  刘小虎 ,  D·L·奎斯塔德 ,  T·M·肖

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种加固结构的方法，以便弥补结构中的缺陷、加强该结构并因此加固电介质而并不折衷该结构的期望的低介电常数。本发明的方法包括步骤：提供具有至少一个互连结构的半导体结构；切割该互连结构；将至少一种浸渗剂应用到该互连结构；以及使该浸渗剂浸渗以浸渗到该互连结构中。