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公开(公告)号：CN111128933A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911048041.7
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 半导体封装件包括：第一管芯，具有第一衬底；互连结构，位于第一衬底上面并且具有多个金属层以及连接多个金属层的通孔；密封环结构，位于第一衬底上面并且沿着第一衬底的外围，密封环结构具有多个金属层以及连接多个金属层的通孔，该密封环结构具有最顶部金属层，最顶部金属层是最远离第一衬底的密封环结构的金属层，密封环结构的最顶部金属层具有内金属结构和外金属结构；以及聚合物层，位于密封环结构上方，该聚合物层具有最外边缘，该最外边缘位于密封环结构的外金属结构的顶面上方并且与密封环结构的外金属结构的顶面对准。本发明的实施例还涉及半导体封装件的形成方法。
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公开(公告)号：CN107492532A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201611253338.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/50 , G06K9/00
Abstract: 一种封装件包括传感器管芯和将传感器管芯密封在其中的密封材料。密封材料的顶面与传感器管芯的顶面大致共面或高于传感器管芯的顶面。多个感测电极高于传感器管芯和密封材料。多个感测电极被布置为多个行和列，并且多个感测电极电连接至传感器管芯。介电层覆盖多个感测电极。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN107133556A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710096151.5
申请日：2017-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06K9/00 , H01L23/522 , H01L25/04
Abstract: 本揭露提供一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置包括：传感器芯片；贯穿通路，电连接传感器芯片的第一侧与位在传感器芯片的第二侧上的导电元件，第二侧与第一侧相对；高电压芯片，与贯穿通路电连接；以及衬底，与贯穿通路电连接，其中高电压芯片位于衬底的开口内。
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公开(公告)号：CN106920787A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611055735.X
申请日：2016-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2924/3512 , H01L2924/37001 , H01L23/5386 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；及第一电介质，其位于所述半导体衬底上方。所述半导体装置还包含：导电层，其放置于所述第一电介质中；及第二电介质，其放置于所述导电层上。在所述半导体装置中，所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露。所述半导体装置进一步包含导电迹线，所述导电迹线部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触。在所述半导体装置中，所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。
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公开(公告)号：CN103871991B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310088383.8
申请日：2013-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05572 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1144 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1712 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06575 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K1/0284 , H05K1/0313 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K3/40 , H05K2201/09409 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本文公开了一种用于在封装管芯中使用的具有阻拦件的中介层的方法和装置。一种中介层可以包括位于衬底上方的金属层。多个阻拦件可以围绕金属层的每个角部形成在金属层上方。可以在中介衬底的两个面上都形成阻拦件。阻拦件围绕一区域，在该区域中可以设置用于与其他封装件连接的连接件，诸如焊料球。非导电阻拦件可以形成在阻拦件上方。底部填充物可以形成在连接至连接件的封装件下方、金属层上方且包含在角部阻拦件所围绕的区域内，从而使得连接件被底部填充物保护得很好。也可以在印刷电路板上进一步形成这样的阻拦件。
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公开(公告)号：CN102832187B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210047058.2
申请日：2012-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , G03F7/075 , G03F7/004
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/131 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 结构包含位于半导体衬底上方的金属焊盘、具有位于该金属焊盘上方的部分的钝化层和位于该钝化层上方的第一聚酰亚胺层，其中该第一聚酰亚胺层具有第一厚度和第一杨氏模量。钝化后互连件(PPI)包括位于第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至钝化层和第一聚酰亚胺层内的第二部分。将PPI电连接至金属焊盘。第二聚酰亚胺层位于PPI上方。该第二聚酰亚胺层具有第二厚度和第二杨氏模量。厚度比和杨氏模量比中的至少一种大于1.0，其中厚度比是第一厚度与第二厚度的比值，以及杨氏模量比是第二杨氏模量与第一杨氏模量的比值。本发明还提供一种焊球上应力减小的晶圆级芯片规模封装件。
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公开(公告)号：CN102832187A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210047058.2
申请日：2012-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , G03F7/075 , G03F7/004
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/131 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 结构包含位于半导体衬底上方的金属焊盘、具有位于该金属焊盘上方的部分的钝化层和位于该钝化层上方的第一聚酰亚胺层，其中该第一聚酰亚胺层具有第一厚度和第一杨氏模量。钝化后互连件(PPI)包括位于第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至钝化层和第一聚酰亚胺层内的第二部分。将PPI电连接至金属焊盘。第二聚酰亚胺层位于PPI上方。该第二聚酰亚胺层具有第二厚度和第二杨氏模量。厚度比和杨氏模量比中的至少一种大于1.0，其中厚度比是第一厚度与第二厚度的比值，以及杨氏模量比是第二杨氏模量与第一杨氏模量的比值。本发明还提供一种焊球上应力减小的晶圆级芯片规模封装件。
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公开(公告)号：CN108766940B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810400637.8
申请日：2012-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/00 , H01L23/498 , H01L25/10 , H01L21/56
Abstract: 提供了用于封装的应力补偿层及其形成方法。应力补偿层放置在基板的与集成电路管芯相对的面上。应力补偿层被设计成抵消由位于基板的管芯面上的结构施加的至少一些应力，诸如，由至少部分地封装第一集成电路管芯的模塑料所施加的应力。封装件也可以与基板电连接。本发明提供了用于3D封装的应力补偿层。
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