公开(公告)号：CN104465521B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410333665.4

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彦 ,  林伯耕 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L28/90 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的新方法和半导体器件。半导体器件包括：衬底、沟槽电容器、接触焊盘、层间介电(ILD)层和接触元件。沟槽电容器包括掺杂区、第一介电层、底电极、第二介电层和顶电极，其中，接触焊盘位于掺杂区上。ILD层具有接触窗口和设置在其中的接触元件。由于存在位于掺杂区上的接触焊盘，因此增加了顶电极上方的ILD层的厚度，但是仍然满足对蚀刻ILD层的接触窗口的最大深度限制的需求。

公开(公告)号：CN104517951A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410385345.3

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌 ,  曾炳南

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种器件包括两个BSI图像传感器元件和第三元件。第三元件使用元件级堆叠方法接合在两个BSI图像传感器元件之间。每个BSI图像传感器元件都包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。BSI图像传感器元件的衬底包括光电二极管区，光电二极管区用于响应于入射到衬底的第二侧面上的辐射累积图像电荷。第三元件也包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。两个BSI图像传感器元件和第三元件的金属叠层电耦合。本发明还提供了具有晶圆级堆叠的双面BSI图像传感器。

公开(公告)号：CN104347349A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310471415.2

申请日：2013-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  黄志辉 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/68707 ,  H01L33/0079 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属-氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。

公开(公告)号：CN104051288A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310485415.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  刘人诚 ,  陈晓萌 ,  黄信华 ,  林宏桦 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。

公开(公告)号：CN220120734U

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202321019884.6

申请日：2023-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王世昌 ,  黄修慧 ,  钟弘毅 ,  陈建辉 ,  陈晓萌

IPC: G01N21/95

Abstract: 本实用新型提供一种用于使半导体芯片处理合格的光学检查设备，包括：照明模块、收集模块及图像处理器。照明模块产生具有处于第一波段及第二波段中的波长的光源光对半导体芯片进行照明。收集模块包括第一图像传感器及第二图像传感器，第一图像传感器接收自半导体芯片反射的处于第一波段中的光，而第二图像传感器接收自半导体芯片反射的处于第二波段中的光。图像处理器处理半导体芯片的第一图像且处理半导体芯片的第二图像，以基于缺陷计数的预定值来使半导体芯片合格。本实用新型可帮助改善半导体芯片的缺陷侦测。