公开(公告)号：CN110875174A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910739722.1

申请日：2019-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鍾政哲 ,  蔡伊甄 ,  郭景森 ,  黄才铭 ,  陈界璋 ,  许峰嘉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 在一种半导体装置的制造方法中，具有开口的第一层在基板上形成。第二层形成于第一层与基板上方。光阻图案形成于第一层开口上的第二层的上方；以热处理制程回焊光阻图案；执行回蚀操作以平坦化第二层。

公开(公告)号：CN109742075A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201810239023.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫俊昌 ,  郑智远 ,  陈思帆 ,  杨舜升 ,  张玮玲 ,  郭景森 ,  许峰嘉 ,  陈俊璋

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  H01L21/31

Abstract: 提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109585285A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810438794.8

申请日：2018-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄伟杰 ,  陈界璋 ,  许峰嘉 ,  郭景森 ,  梁晋玮 ,  陈侠威

IPC: H01L21/3105

Abstract: 半导体装置的形成方法包括形成自基板凸起的结构，形成介电层以覆盖结构，形成虚置层以覆盖介电层，以及进行平坦化工艺以完全移除虚置层。平坦化工艺对虚置层的移除速率小于对介电层的移除速率。

公开(公告)号：CN109461700A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201711284349.2

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱威超 ,  王志谦 ,  许峰嘉 ,  郭景森 ,  张浚威 ,  曾凯

IPC: H01L21/77 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的实施例提供一种制作半导体器件的方法。所述方法包括：使用具有第一图案的第一光掩模在第一光刻胶层中形成第一沟槽以暴露出衬底的第一表面；将离子经由第一沟槽引至暴露的第一表面中以在衬底中形成第一隔离区；移除第一光刻胶层；使用具有第二图案的第二光掩模在第二光刻胶层中形成第二沟槽以暴露出衬底的第二表面，第二图案相对于第一图案对角地偏移半个掩模间距；将离子经由第二沟槽引至暴露的第二表面中以在衬底中形成第二隔离区，第一隔离区与第二隔离区在衬底中交替地设置且第一隔离区与第二隔离区之间界定像素区；以及移除第二光刻胶层。

公开(公告)号：CN103456749A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210458903.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕文祯 ,  郭景森 ,  傅士奇 ,  谢明颖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 公开了图像器件及其形成方法。一种形成图像传感器器件的方法包括在衬底上方形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层具有位于外围区中的多个第一开口和位于像素区中的多个第二开口。在像素区上方形成第一图案化掩模层从而暴露出外围区。在外围区中的衬底内蚀刻出多个第一沟槽。用介电材料填充每个第一沟槽、每个第一开口和每个第二开口。在外围区上方形成第二图案化掩模层从而暴露像素区。去除位于像素区上方的每个第二开口中的介电材料。通过每个第二开口注入多种掺杂物以在像素区中形成各种掺杂隔离部件。