公开(公告)号：CN103456749A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210458903.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕文祯 ,  郭景森 ,  傅士奇 ,  谢明颖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 公开了图像器件及其形成方法。一种形成图像传感器器件的方法包括在衬底上方形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层具有位于外围区中的多个第一开口和位于像素区中的多个第二开口。在像素区上方形成第一图案化掩模层从而暴露出外围区。在外围区中的衬底内蚀刻出多个第一沟槽。用介电材料填充每个第一沟槽、每个第一开口和每个第二开口。在外围区上方形成第二图案化掩模层从而暴露像素区。去除位于像素区上方的每个第二开口中的介电材料。通过每个第二开口注入多种掺杂物以在像素区中形成各种掺杂隔离部件。

公开(公告)号：CN103456749B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210458903.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕文祯 ,  郭景森 ,  傅士奇 ,  谢明颖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 公开了图像器件及其形成方法。一种形成图像传感器器件的方法包括在衬底上方形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层具有位于外围区中的多个第一开口和位于像素区中的多个第二开口。在像素区上方形成第一图案化掩模层从而暴露出外围区。在外围区中的衬底内蚀刻出多个第一沟槽。用介电材料填充每个第一沟槽、每个第一开口和每个第二开口。在外围区上方形成第二图案化掩模层从而暴露像素区。去除位于像素区上方的每个第二开口中的介电材料。通过每个第二开口注入多种掺杂物以在像素区中形成各种掺杂隔离部件。